IGBT 650 V 30 A 214 W Durchkontaktierung TO-220
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AOT15B65M1

DigiKey-Teilenr.
785-1763-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
AOT15B65M1
Beschreibung
IGBT 650V 30A TO-220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT 650 V 30 A 214 W Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Eingangstyp
Standard
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Gate-Ladung
32 nC
Serie
Td (on/off) bei 25°C
13ns/116ns
Verpackung
Stange
Testbedingung
400V, 15A, 20Ohm, 15V
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Umkehrerholungszeit (trr)
317 ns
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
650 V
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
30 A
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)
45 A
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,15V bei 15V, 15A
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Leistung - Max.
214 W
Basis-Produktnummer
Schaltenergie
290µJ (Ein), 200µJ (Aus)
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOTF15B65M2Alpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1769-ND€ 1,01337Ähnlich
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