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AOI11S60 | |
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DigiKey-Teilenr. | AOI11S60-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | AOI11S60 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 11A TO251A |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 11 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-251A |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,1V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 11 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 545 pF @ 100 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 208W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-251A |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 399mOhm bei 3,8A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| STU13N60M2 | STMicroelectronics | 822 | 497-13885-5-ND | € 1,92000 | Ähnlich |
| TK12Q60W,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 27 | TK12Q60WS1VQ-ND | € 2,97000 | Ähnlich |



