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AOI11S60

DigiKey-Teilenr.
AOI11S60-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
AOI11S60
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 11 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-251A
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,1V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
11 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
545 pF @ 100 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-251A
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
399mOhm bei 3,8A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (2)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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