SDRAM - Mobile LPDDR4X Speicher IC 8Gbit LVSTLE_06 1.866 GHz 3.5 ns 200-FBGA (10x15)
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AS4C512M16MD4V-053BIN

DigiKey-Teilenr.
1450-AS4C512M16MD4V-053BIN-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
AS4C512M16MD4V-053BIN
Beschreibung
IC DRAM 8GBIT LVSTLE 200FBGA
Standardlieferzeit des Herstellers
30 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
SDRAM - Mobile LPDDR4X Speicher IC 8Gbit LVSTLE_06 1.866 GHz 3.5 ns 200-FBGA (10x15)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Taktfrequenz
1.866 GHz
Herst.
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
18ns
Verpackung
Tablett
Zugriffszeit
3.5 ns
Status der Komponente
Aktiv
Spannung - Versorgung
1,06V bis 1,17V, 1,7V bis 1,95V
Speichertyp
Flüchtig
Betriebstemperatur
-40°C bis 85°C (TC)
Speicherformat
Montagetyp
Oberflächenmontage
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR4X
Gehäuse / Hülle
Speichergröße
Gehäusetyp vom Lieferanten
200-FBGA (10x15)
Speicherorganisation
512M x 16
Basis-Produktnummer
Speicherschnittstelle
LVSTLE_06
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 0
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Tablett
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 76,15000€ 76,15
10€ 70,27000€ 702,70
25€ 67,96960€ 1.699,24
50€ 66,25720€ 3.312,86
120€ 64,13783€ 7.696,54
Standardverpackung des Herstellers
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