MOSFETs - Arrays 10,6V 80mA 500mW Durchkontaktierung 8-PDIP
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ALD212900PAL

DigiKey-Teilenr.
1014-1212-ND
Hersteller
Advanced Linear Devices Inc.
Hersteller-Teilenummer
ALD212900PAL
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIP
Standardlieferzeit des Herstellers
8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 10,6V 80mA 500mW Durchkontaktierung 8-PDIP
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Advanced Linear Devices Inc.
Serie
EPAD®, Zero Threshold™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration
2 N-Kanal (zweifach) abgestimmtes Paar
FET-Merkmal
Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
10,6V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
80mA
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
14Ohm
Vgs(th) (max.) bei Id
20mV bei 20µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
30pF bei 5V
Leistung - Max.
500mW
Betriebstemperatur
0°C bis 70°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
8-DIP (0,300", 7,62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-PDIP
Basis-Produktnummer
ALD212900
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