MOSFETs - Arrays 10,6V 12mA, 3mA 500mW Durchkontaktierung 8-PDIP
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ALD110908APAL

DigiKey-Teilenr.
1014-1038-ND
Hersteller
Advanced Linear Devices Inc.
Hersteller-Teilenummer
ALD110908APAL
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP
Standardlieferzeit des Herstellers
8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 10,6V 12mA, 3mA 500mW Durchkontaktierung 8-PDIP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Advanced Linear Devices Inc.
Serie
EPAD®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration
2 N-Kanal (zweifach) abgestimmtes Paar
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
10,6V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12mA, 3mA
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
500Ohm bei 4,8V
Vgs(th) (max.) bei Id
810mV bei 1µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2,5pF bei 5V
Leistung - Max.
500mW
Betriebstemperatur
0°C bis 70°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
8-DIP (0,300", 7,62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-PDIP
Basis-Produktnummer
ALD110908
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