Name: ALD110900APAL
Brand: Advanced Linear Devices Inc.
SKU: 1014-1030-ND
Price: 10.08 EUR
Availability: InStock

MOSFETs - Arrays 10,6V 500mW Durchkontaktierung 8-PDIP

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ALD110900APAL
DigiKey-Teilenr.	1014-1030-ND
Hersteller	Advanced Linear Devices Inc.
Hersteller-Teilenummer	ALD110900APAL
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 10,6V 500mW Durchkontaktierung 8-PDIP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ALD110900APAL Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Advanced Linear Devices Inc.
Serie	EPAD®, Zero Threshold™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach) abgestimmtes Paar
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	10,6V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	500Ohm bei 4V
Vgs(th) (max.) bei Id	10mV bei 1µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2,5pF bei 5V
Leistung - Max.	500mW
Betriebstemperatur	0°C bis 70°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	8-DIP (0,300", 7,62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-PDIP
Basis-Produktnummer	ALD110900

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