FQP13N10 onsemi | Einzelne FETs, MOSFETs

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onsemi

Vorrätig: 2 120

Stückpreis : € 3,11000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FQP13N10
DigiKey-Teilenr.	FQP13N10-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQP13N10
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 12,8 A (Tc) 65W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FQP13N10 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 16 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (Max.) ±25V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 450 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 65W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 12,8 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer FQP13
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 6,4A, 10V