750 V Siliziumkarbid-MOSFETs – TO-247-4-Gehäuse mit niedrigem Profil

Die MOSFETs von Wolfspeed bieten größere Designflexibilität, höhere Zuverlässigkeit und niedrigere Ausfallraten

Abbildung: 750-V-Siliziumkarbid-MOSFETs von Wolfspeed Der 750-V-MOSFET im 4-poligen TO-247-Gehäuse von Wolfspeed mit niedrigem Profil ermöglicht kleinere, leichtere und hocheffiziente Leistungswandlung in einer Vielzahl von Stromversorgungssystemen. Das Gehäuse mit niedrigerem Profil hilft bei platzbeschränkten Platinendesigns, erhöht die Leistungsdichte auf Systemebene und bietet dank der verbesserten Gehäuseinduktivität geringere Schaltverluste. Die 750-V-MOSFET-Familie von Wolfspeed bietet bei steigenden Systembusspannungen einen größeren Designspielraum in Kundenanwendungen und eine höhere Toleranz für transiente Spitzenspannungen. Alle Komponenten sind industrietauglich.

Merkmale/Funktionen
  • Geringere Gehäusehöhe (2,5 mm) im Vergleich zu K-Bauteilen
  • Niedriger Einschaltwiderstand über Temperatur
  • Geringe parasitäre Kapazität
  • Schnelle Substratdiode mit ultra-niedriger Sperrverzögerung (QRR)
  • Hochtemperaturbetrieb: TJ = +175 °C
  • Gehäuse und Leitungslänge nach Industriestandard
  • Kelvin-Source-Pin
  • Niedrige Leitungsinduktivität
  • Geringer Wärmewiderstand
Anwendungen/Zielmärkte
  • Industrielle Stromversorgungen
  • Motor- und Bewegungssteuerungssysteme
  • Stromversorgungen für Server und Telekommunikation
  • Ladesysteme für Elektrofahrzeuge
  • Solar-/PV- und Energiespeichersysteme
  • Prüf- und Messsysteme

750 V Silicon Carbide MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
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Veröffentlicht: 2024-05-30