Integrierte VRPOWER®-Leistungsstufen SIC53/SIC63

Die integrierten VRPower-DrMOS-Leistungsstufen von Vishay liefern hohe Leistungsdichte und Effizienz für Notebooks, Ultrabooks und Desktop-Computer

Abbildung: Integrierte VRPOWER®-Leistungsstufen SIC630/SIC631/SIC632 von Vishay Um der Nachfrage nach hocheffizienter Hochstrom-Performance mit hoher Leistungsdichte in Notebooks, Ultrabooks und Desktop-Computern der nächsten Generation nachzukommen, stellt Vishay Siliconix fünf integrierte Lösungen für VRPower-DrMOS-Leistungsstufen für mehrphasige POL-Regleranwendungen vor. Mit der Kombination aus Leistungs-MOSFETs, einem fortschrittlichen MOSFET-Gate-Treiber-IC und einer Bootstrap-Schottky-Diode in thermisch optimierten PowerPAK-MLP4535-22L-Gehäusen mit 4,5 mm x 3,5 mm und PowerPAK-MLP55-31L-Gehäusen mit 5 mm x 5 mm bieten SiC530, SiC531, SiC532, SiC631 und SiC632 von Vishay Siliconix eine 45 % kleinere Auflagefläche als diskrete Lösungen.

  • Optimiert für Computer-Plattformen mit Skylake-Plattform von Intel
  • Hohe Schaltfrequenzen verringern die Gesamtgröße und das Profil der Lösung durch eine Verringerung der Ausgangsfiltergröße.
  • High- und Low-Side-MOSFETs nutzen die hochmoderne TrenchFET ®-Technologie der 5. Generation von Vishay zur Reduzierung von Schalt-und Leitungsverlusten.
  • Reduzierung des Stromverbrauchs auf 5 µA bei Betrieb des Systems im Standby-Modus und Reaktivierung innerhalb von 5 µs
Merkmale
  • Kombiniert Leistungs-MOSFETs, fortschrittlichen MOSFET-Gate-Treiber-IC und Bootstrap-Schottky-Diode
  • Hohe Leistungsdichte:
    • Dauerstrom bis 30 A in PowerPAK-MLP4535-22L-Gehäuse mit 4,5 mm x 3,5 mm
    • Dauerstrom bis 40 A in PowerPAK-MLP55-31L-Gehäuse mit 5 mm x 5 mm
  • Unterstützung von PS4-Modus-Leichtlast-Anforderungen für IMVP8
  • RoHS-konform und halogenfrei
  • Geringere parasitäre Induktivität durch Gehäuse ermöglicht Schaltfrequenzen von bis zu 2 MHz
  • Treiber-IC ist mit einer breiten Palette von PWM-Controllern kompatibel und unterstützt PWM-Logik von 5 V mit drei Zuständen
  • Hoher Wirkungsgrad:
    • Schaltkreise für Diodenemulationsmodus und Nullstromerkennung erhöhen Wirkungsgrad unter leichter Last
    • Adaptive Totzeitsteuerung verbessert den Wirkungsgrad bei allen Lastpunkten
  • Funktion zur Unterspannungsabschaltung (UVLO)
Anwendungen
  • DC/DC-Spannungsregelmodule
  • Mehrphasen-VRDs für CPUs, GPUs und Speicher in Notebooks, Ultrabooks, Desktop-Computern und Arbeitsstationen der nächsten Generation
  • Stromversorgung für leistungsstarke ASICs und FPGAs in eingebetteten Systemen
  • Cloud-Computing
  • Telekommunikations-/Netzwerkinfrastruktur
  • Industrie-PCs
  • Synchroner Abwärtswandler

SIC630/SIC631/SIC632 VRPOWER® Integrated Power Stage

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4SIC530CD-T1-GE3IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP40 - Sofort$1.94Details anzeigen
IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4SIC532CD-T1-GE3IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP40 - Sofort$2.21Details anzeigen
IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAKSIC631CD-T1-GE3IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK194 - Sofort$2.14Details anzeigen
IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAKSIC632CD-T1-GE3IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK5700 - Sofort$2.39Details anzeigen
IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAKSIC632ACD-T1-GE3IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK374 - Sofort$2.39Details anzeigen
Veröffentlicht: 2016-02-11