Gen-4-750-V-SiC-FETs ermöglichen Leistungsdesigns der nächsten Generation

Die auf einer einzigartigen Kaskodenkonfiguration basierenden SiC-FETs UJ4C/SC der 4. Generation von onsemi sind für 750 V ausgelegt und in Optionen von 6 mΩ bis 60 mΩ erhältlich. Diese Komponenten bieten hervorragende Leistungsdaten, die die Leitungsverluste senken und den Wirkungsgrad bei höheren Geschwindigkeiten erhöhen, während sie gleichzeitig die Gesamtwirtschaftlichkeit verbessern. Schaltleistung und Q_rr werden verbessert, ebenso die E_on- und E_off-Verluste bei jedem gegebenen R_DS(on). Darüber hinaus sorgen reduzierte Pegel in E_oss und C_oss für geringe Gesamtverluste. Diese Komponenten können sicher mit standardmäßiger 0-V- bis 12-V- oder 15-V-Gate-Treiberspannung betrieben werden. Mit einer echten Schwellenspannung von 5 V wird eine gute Schwellenrauschmarge beibehalten. Wie die vorherigen Generationen können diese SiC-FETs mit allen typischen Si-IGBT-, Si-MOSFET- und SiC-MOSFET-Treiberspannungen betrieben werden. Sie enthalten außerdem eine eingebaute ESD-Gate-Schutzklemme. Zahlreiche Komponenten sind AEC-Q101-konform.