900-V-/50-mΩ-GaN-FET TP90H050WS im TO-247-Gehäuse

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            900-V-/50-mΩ-GaN-FET TP90H050WS im TO-247-Gehäuse
                    Die Komponente TP90H050WS von Transphorm kombiniert modernste Hochspannungs-GaN-HEMT- und Niederspannungs-Silizium-MOSFET-Technologien

Abbildung: 900-V-/50-mΩ-GaN-FET TP90H050WS von Transphorm im TO-247-Gehäuse Der TP90H050WS ist der zweite 900-V-GaN-FET von Transphorm und bietet einen typischen Einschaltwiderstand von 50 mΩ mit einer transienten Spannungsspitze von einem Kilovolt. Die Komponente ist gemäß JEDEC zugelassen und im thermisch robusten TO-247-Gehäuse erhältlich. Stromversorgungssysteme mit dem TP90H050WS können einen Wirkungsgrad von mehr als 99 Prozent erreichen und dabei in typischen Halbbrücken-Konfigurationen mit brückenloser Totem-Pol-Leistungsfaktorkorrektur (PFC) bis zu 10 kW Leistung erzeugen. Er eignet sich für Hochspannungsanwendungen wie Photovoltaik-Wechselrichter, Batterieladung, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Beleuchtung, Energiespeicherung und Drehstromnetze.

Merkmale

JEDEC-qualifizierte GaN-Technologie
Dynamischer R_DS(on)eff in der Produktion getestet
Robustes Design, definiert durch

Test der Lebensdauer
Großer Sicherheitsbereich für das Gate
Belastbarkeit gegen Überspannungstransienten

Sehr niedrige Q_RR
Reduzierter Übergangsverlust
RoHS-konformes und halogenfreies Gehäuse

Vorteile

Ermöglicht AC/DC-Anwendungen mit brückenlosen Totem-Pol-PFC-Designs

Erhöhte Leistungsdichte
Reduzierte Systemgröße und Gewicht
Insgesamt niedrigere Systemkosten

Erreicht eine erhöhte Effizienz sowohl in hart als auch in weich geschalteten Schaltungen
Einfach zu handhaben mit häufig verwendeten Gate-Treibern
GSD-Pin-Layout verbessert das High-Speed-Design