MOSFETs mittlerer Leistung und kleiner Größe

Toshiba setzt fortschrittliche Technologien ein, um branchenführende niedrige R_ON zu erzielen. Toshiba bietet Bauteile mit branchenüblichen Abmessungen von 2 mm x 2 mm und 2,9 mm x 2,8 mm an, die den geringen Verlust und die kompakte Größe bieten, die für MOSFETs in batteriebetriebenen Geräten wie Smartphones und tragbaren Geräten erforderlich sind.

Toshiba verwendet ein fortschrittliches Sperrschichtverfahren, das die Zellstruktur miniaturisiert, um einen branchenführenden niedrigen R_ON zu erzielen. Mit den Sperrschichtverfahren der neuesten Generation Pch7 und Nch9 ist es gelungen, den Durchlasswiderstand pro Flächeneinheit gegenüber den Verfahren der alten Generation um bis zu 70% zu senken. Sie sind sehr effizient bei der Reduzierung von Leitungsverlusten.

Verlustarme und kompakte Halbleiterbauelemente sind für die Reduzierung des Stromverbrauchs in Stromversorgungssystemen und mobilen Anwendungen wie Schnellladesystemen und USB-PD von entscheidender Bedeutung. Zum Beispiel ist der SSM6K513NU ein MOSFET, der die fortschrittlichen Technologien von Toshiba verwendet und einen außergewöhnlich niedrigen Durchlasswiderstand und einen verringerten Temperaturanstieg aufgrund von Leitungsverlusten von 27% im Vergleich zu Wettbewerbern in tatsächlichen Maschinentests bei einem Versorgungsstrom von 5 A erzielt.