MOSFET im kompakten CST3C-Gehäuse
Toshiba erweitert seine MOSFET-Produktlinie mit einem MOSFET im kompakten CST3C-Gehäuse zur Steuerung von Stromquellen oder Datensignalen in mobilen Geräten
Toshiba hat seine MOSFET-Produktlinie durch Einführung von SSM3K35CTC und SSM3J35CTC in einem kompakten CST3C-Gehäuse mit 0,8 mm x 0,6 mm erweitert. Diese MOSFETs eignen sich zur Steuerung von Stromquellen oder Datensignalen in mobilen Geräten wie Smartphones und anderen tragbaren Geräten. Das CST3C-Gehäuse von Toshiba ist so kompakt, dass seine Grundfläche nur ein Drittel des branchenüblichen SOT-723-Gehäuses beträgt, wodurch es sich für die hochdichte Montage eignet. Darüber hinaus erzielen die Produkte einen niedrigeren Betriebswiderstand im Vergleich zu SOT-723-Gehäusen.
- Kompaktes CST3C-Gehäuse (0,8 mm × 0,6 mm)
- Kann mit der Gate-Spannung von 1,2 V gesteuert werden
- Niedriger Drain-Source-Betriebswiderstand
- SSM3K35CTC: RDS(ON) = 2,4 Ω (typisch) bei VGS = 1,2 V
- SSM3J35CTC : RDS(ON) = 3,2 Ω (typisch) bei VGS = -1,2 V
- Smartphones
- Tablet-PCs
- Tragbare Geräte (Wearables)
Compact Package CST3C MOSFET
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | SSM3K35CTC,L3F | MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C | 36 pF @ 10 V | 39732 - Sofort | $0.22 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | SSM3J35CTC,L3F | MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C | - | 19029 - Sofort | $0.23 | Details anzeigen |




