MOSFET im kompakten CST3C-Gehäuse

Toshiba erweitert seine MOSFET-Produktlinie mit einem MOSFET im kompakten CST3C-Gehäuse zur Steuerung von Stromquellen oder Datensignalen in mobilen Geräten

Bild des MOSFET von Toshiba im kompakten CST3C-GehäuseToshiba hat seine MOSFET-Produktlinie durch Einführung von SSM3K35CTC und SSM3J35CTC in einem kompakten CST3C-Gehäuse mit 0,8 mm x 0,6 mm erweitert. Diese MOSFETs eignen sich zur Steuerung von Stromquellen oder Datensignalen in mobilen Geräten wie Smartphones und anderen tragbaren Geräten. Das CST3C-Gehäuse von Toshiba ist so kompakt, dass seine Grundfläche nur ein Drittel des branchenüblichen SOT-723-Gehäuses beträgt, wodurch es sich für die hochdichte Montage eignet. Darüber hinaus erzielen die Produkte einen niedrigeren Betriebswiderstand im Vergleich zu SOT-723-Gehäusen.

Merkmale
  • Kompaktes CST3C-Gehäuse (0,8 mm × 0,6 mm)
  • Kann mit der Gate-Spannung von 1,2 V gesteuert werden
  • Niedriger Drain-Source-Betriebswiderstand
    • SSM3K35CTC: RDS(ON) = 2,4 Ω (typisch) bei VGS = 1,2 V
    • SSM3J35CTC : RDS(ON) = 3,2 Ω (typisch) bei VGS = -1,2 V
Anwendungen
  • Smartphones
  • Tablet-PCs
  • Tragbare Geräte (Wearables)

Compact Package CST3C MOSFET

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungEingangskapazität (Ciss) (max.) bei VdsVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
MOSFET N-CH 20V 250MA CST3CSSM3K35CTC,L3FMOSFET N-CH 20V 250MA CST3C36 pF @ 10 V39732 - Sofort$0.22Details anzeigen
MOSFET P-CH 20V 250MA CST3CSSM3J35CTC,L3FMOSFET P-CH 20V 250MA CST3C-19029 - Sofort$0.23Details anzeigen
Veröffentlicht: 2015-11-11