Kleinsignal-MOSFET-Bausteine für die Automobilindustrie

Die AEC-Q101-qualifizierten Semi-Power-MOSFETs von Toshiba in kompakter Bauform unterstützen eine breite Palette von Automobilanwendungen für Batteriesysteme von 12 V bis 48 V, einschließlich Netzlastschalter, LED-Scheinwerfer und BMS-Zellenausgleichsschaltungen.

Im Gegensatz zum bisherigen SOT-23-Gehäuse mit Gull-Wing-Kontakten ist das SOT-23F ein von Toshiba entwickeltes Gehäuse mit flachen Anschlussdrähten, das die Wärmeableitung durch eine größere wärmeableitende Kontaktfläche zwischen dem Gehäuse und der Leiterplatte (PCB) optimiert. Da die Montagequalität und Zuverlässigkeit unter rauen thermischen Umgebungsbedingungen ein übliches Anliegen bei Gehäusen mit flachen Anschlussdrähten ist, haben wir sichergestellt, dass die Anforderungen an die Temperaturwechselbeständigkeit für Automobilanwendungen erfüllt werden und gleichzeitig die Kompatibilität mit dem Vorgängergehäuse SOT-23 erhalten bleibt.

Durch die Kombination von hochentwickelten Wafer-Verarbeitungs- und Gehäusetechniken bieten der SSM3K341R und der SSM3K361R im SOT-23F-Gehäuse einen branchenführenden RDS_(ON) von 36 mΩ bzw. 65 mΩ (bei VGS = 4,5 V). Der niedrige Einschaltwiderstand ermöglicht eine Reduzierung der Applikationsgröße bei gleichzeitiger Reduzierung der Energieverluste. Darüber hinaus unterstützen beide Bausteine eine maximale Kanaltemperatur von +175 °C und können extensiv in Automobilanwendungen mit anspruchsvollen Betriebsbedingungen eingesetzt werden.