Serie V von 600-V-IGBTs ohne Schwanzstrom

Die fortschrittliche Serie V aus 600-V-Trench-Gate-Feldstopp-IGBTs von STMicroelectronics weist eine glatte Ausschaltcharakteristik ohne Schwanzströme, eine geringe Sättigungsspannung von bis zu 1,8 V und eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C auf und erlaubt damit eine erhöhte Systemenergieeffizienz, höhere Schaltfrequenzen und ein vereinfachtes thermisches und EMI-Design.

Die neuen Komponenten von ST erhöhen die Schalteffizienz und die maximale Betriebsfrequenz, indem der Ausschalt-Schwanzstrom herkömmlicher IGBTs eliminiert wird. Sie besitzen außerdem eine extrem geringe Chipdicke, was Schaltleistung und Wärmeableitung verbessert. Das proprietäre optimierte Trench-Gate-Feldstopp-Herstellungsverfahren sorgt für einen besseren Wärmewiderstand und eine maximale Sperrschichttemperatur von bis zu 175 °C sowie eine genaue Kontrolle über Parameter wie die Sättigungsspannung, wodurch eine sichere Parallelschaltung mehrerer IGBTs, eine größere Stromdichte und ein höherer Wirkungsgrad im EIN-Zustand ermöglicht werden.

Die neuen IGBTs sind extrem robust und weisen eine hohe dV/dt-Belastbarkeit auf. Eine im selben Gehäuse untergebrachte extrem schnelle Sanft-Freilaufdiode minimiert Einschaltstromverluste. Für kostenempfindliche Anwendungen sind ebenfalls Varianten ohne Diode verfügbar.

Die IGBTs der Serie V mit einem Nennstrom von 20 A bis 80 A werden derzeit in den Gehäuseausführungen TO-3P, TO-3PF, TO-220, TO-220FP, TO-247 oder D2PAK hergestellt.