Gate-Treiber STDRIVEG600 für GaN-Transistoren

Der STDRIVEG600 von STMicroelectronics ist ein Einzelchip-Halbbrücken-Gate-Treiber für Enhancement-Mode-GaN-FETs oder N-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Der High-Side-Teil ist für eine Spannung von bis zu 600 V ausgelegt. Er eignet sich für Anwendungen mit einer Busspannung von bis zu 500 V. Der STDRIVEG600 kann dank Hochstromfähigkeit, kurzer Laufzeit von 45 ns unter typischen Bedingungen und Betrieb mit einer Versorgungsspannung von bis zu 5 V Hochgeschwindigkeits-Silizium- und GaN-FETs ansteuern. Die dV/dt-Immunität ist hoch: ±200 V/ns. Der STDRIVEG600 ist ein robuster Treiber, er verfügt über einen Übertemperaturschutz und eine Unterspannungsabschaltung (UVLO) sowohl im unteren als auch im hohen Leistungsbereich, die verhindert, dass die Leistungsschalter bei niedrigem Wirkungsgrad oder unter gefährlichen Bedingungen arbeiten.

Die Sperrfunktion vermeidet Querleitungsbedingungen. Die Logikeingänge sind ab 3,3 V CMOS/TTL-kompatibel für eine einfache Verbindung mit Steuergeräten und DSP. Ein spezieller Pin für die Abschaltfunktion ist ebenfalls verfügbar. Das Gehäuse ist SO16. Der STDRIVEG600 wird sowohl mit Gehäuse (Teilenummer: STDRIVEG600) als auch als Wafer für das Dice-Geschäft (Teilenummer: STDRIVEG600w) angeboten.