STMicroelectronics

PowerFLAT™-SiC-Dioden

Die 8 mm x 8 mm großen Dioden von STMicro bieten eine ausgezeichnete Nachhaltigkeit von Design bis zum Einsatz

Bild der PowerFLAT™-SiC-Diode von STMicroDie PowerFLAT-Hochspannungs-SiC-Dioden von STMicro mit 650 V und einer Grundfläche von 8 mm x 8 mm bieten Versionen mit 4 A, 6 A und 8 A, die dank des kompakten Gehäuses das Design in platzsparenden Umgebungen erleichtern. Die Dioden bieten eine verbesserte Leistungsintegration sowie maximale Produktivität und Nachhaltigkeit. Die MSL1-Komponenten erfüllen aufgrund ihrer hohen Überstromfähigkeit in FLAT-Gehäusen extrem strenge Anwendungsbedingungen.

Merkmale
  • Packungshöhe: < 1 mm
  • Gehäuse mit hoher Kriechstrecke
  • Vernachlässigbare oder keine Sperrverzögerung
  • Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
  • Hoher Stroßstrombelastbarkeit in Durchlassrichtung
  • Niedrige Durchlassspannung
  • Außergewöhnliche Energieeffizienz
  • ECOPACK®2-konform
Anwendungen
  • SMPS für Telekommunikation
  • Server
  • Fabrikautomatisierung
  • Erneuerbare Energien
  • USV
  • DIN-Schienen
  • Hochfrequenzumrichter für Boost-PFC-, Bootstrap- oder Klemmfunktionen

PowerFLAT™ SiC Diodes

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungGeschwindigkeitUmkehrerholungszeit (trr)Verfügbare MengePreisDetails anzeigen
DIODE SIC 650V 4A POWERFLAT HVSTPSC4H065DLFDIODE SIC 650V 4A POWERFLAT HVKeine Erholzeit > 500mA (Io)0 ns0 - Sofort$2.75Details anzeigen
DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HVSTPSC6H065DLFDIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HVKeine Erholzeit > 500mA (Io)0 ns9338 - Sofort$2.80Details anzeigen
DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HVSTPSC8H065DLFDIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HVKeine Erholzeit > 500mA (Io)0 ns3937 - Sofort$3.54Details anzeigen
DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HVSTPSC10H065DLFDIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HVKeine Erholzeit > 500mA (Io)0 ns0 - Sofort$4.35Details anzeigen
DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HVSTPSC10065DLFDIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HVKeine Erholzeit > 500mA (Io)0 ns3204 - Sofort$3.58Details anzeigen
Veröffentlicht: 2019-05-02

Related Product Highlight

SiC-Gleichrichter Die Schottky-Dioden mit Siliziumkarbid-Struktur von STMicroelectronics arbeiten bis zu viermal schneller als die schnellsten auf dem Markt erhältlichen bipolaren Siliziumdioden.

Related Articles and Blogs

Halbleiter mit großer Bandlücke gestalten das Transportwesen neu Der gesamte Verkehrssektor befindet sich in einem radikalen Umbruch mit Lösungen für Elektro- und Hybridautos und einen saubereren Massentransport.
Halbleiter mit großer Bandlücke in Luft- und Raumfahrt- sowie Satellitenanwendungen Halbleiter mit großer Bandlücke bieten mehrere Vorteile bei der Leistungswandlung, z. B. eine höhere Leistungsdichte und einen höheren Wirkungsgrad sowie eine Verringerung der Systemgröße und des Gewichts.