PowerFLAT™-SiC-Dioden

Die 8 mm x 8 mm großen Dioden von STMicro bieten eine ausgezeichnete Nachhaltigkeit von Design bis zum Einsatz

Bild der PowerFLAT™-SiC-Diode von STMicroDie PowerFLAT-Hochspannungs-SiC-Dioden von STMicro mit 650 V und einer Grundfläche von 8 mm x 8 mm bieten Versionen mit 4 A, 6 A und 8 A, die dank des kompakten Gehäuses das Design in platzsparenden Umgebungen erleichtern. Die Dioden bieten eine verbesserte Leistungsintegration sowie maximale Produktivität und Nachhaltigkeit. Die MSL1-Komponenten erfüllen aufgrund ihrer hohen Überstromfähigkeit in FLAT-Gehäusen extrem strenge Anwendungsbedingungen.

Merkmale
  • Packungshöhe: < 1 mm
  • Gehäuse mit hoher Kriechstrecke
  • Vernachlässigbare oder keine Sperrverzögerung
  • Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
  • Hoher Stroßstrombelastbarkeit in Durchlassrichtung
  • Niedrige Durchlassspannung
  • Außergewöhnliche Energieeffizienz
  • ECOPACK®2-konform
Anwendungen
  • SMPS für Telekommunikation
  • Server
  • Fabrikautomatisierung
  • Erneuerbare Energien
  • USV
  • DIN-Schienen
  • Hochfrequenzumrichter für Boost-PFC-, Bootstrap- oder Klemmfunktionen

PowerFLAT™ SiC Diodes

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungGeschwindigkeitUmkehrerholungszeit (trr)Verfügbare MengePreisDetails anzeigen
DIODE SIC 650V 4A POWERFLAT HVSTPSC4H065DLFDIODE SIC 650V 4A POWERFLAT HVZero Recovery Time > 500mA (Io)0 ns0 - Sofort$2.72Details anzeigen
DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HVSTPSC6H065DLFDIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HVZero Recovery Time > 500mA (Io)0 ns8218 - Sofort$2.77Details anzeigen
DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HVSTPSC8H065DLFDIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HVZero Recovery Time > 500mA (Io)0 ns3830 - Sofort$3.51Details anzeigen
DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HVSTPSC10H065DLFDIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HVZero Recovery Time > 500mA (Io)0 ns0 - Sofort$4.32Details anzeigen
DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HVSTPSC10065DLFDIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HVZero Recovery Time > 500mA (Io)0 ns2896 - Sofort$3.73Details anzeigen
Veröffentlicht: 2019-05-02