Integrierte GaN-Stromversorgungslösungen der MasterGaN-Serie für Designs der nächsten Generation

Der Wandler der MasterGaN-Serie von STMicroelectronics eignet sich ideal für Hochfrequenz-Schaltanwendungen, die eine minimale Verlustleistung im Leerlauf erfordern

Abbildung: Integrierte GaN-Stromversorgungslösungen der MasterGaN-Serie von STMicroelectronics für Designs der nächsten GenerationDie MasterGaN-Serie von STMicroelectronics bietet eine fortschrittliche Power-System-in-Package-Lösung (SiP), die einen Gate-Treiber mit zwei GaN-Transistoren (Anreicherungstyp) in einer Halbbrückenkonfiguration integriert. Die Serie basiert auf robusten 600-V-GaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistors) und nutzt die Vorteile der GaN-Technologie, um eine höhere Umwandlungseffizienz, eine geringere Baugröße und eine deutlich höhere Leistungsdichte zu ermöglichen.

Die für Resonanztopologien optimierte MasterGaN-L-Familie wurde für einen geringeren Stromverbrauch und schnellere Einschaltzeiten (TON) entwickelt und eignet sich daher besonders für Hochfrequenz-Schaltanwendungen, die eine minimale Verlustleistung im Leerlauf erfordern.

Merkmale/Funktionen
  • Integrierte GaN-Leistungsbausteine
  • Eingebetteter Gate-Treiber
  • Optimierte TON-Verzögerung (MasterGaN-L-Serie)
  • Intelligente Lösung im GQFN-Gehäuse (9 mm x 9 mm)
  • Skalierbare Leistung, Pin-zu-Pin-kompatibel
  • Spezieller Pin für die Abschaltfunktion
  • Präzise interne Timing-Anpassung
  • UVLO-Schutz an VCC
  • Verriegelungsfunktion
  • Übertemperaturschutz
  • Geringere Leistungsverluste, geringerer Stromverbrauch, übertrifft strenge Energieanforderungen
Anwendungen/Zielmärkte
  • LED-Beleuchtung
  • Intelligente Ladegeräte und Adapter
  • Industrielle Netzteile
  • Stromversorgung für Server/Telekommunikation

MasterGaN Series Integrated GaN Power Solutions

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Veröffentlicht: 2026-03-30