Power-MOSFETs der (30 V)-Niederspannungsserie STripFET™ H7
STMicroelectronics bietet Power-MOSFETs der Niederspannungsserie STripFET H7 mit extrem niedrigem Betriebswiderstand und extrem geringen Kapazitäten an
Die (30 V)-Niederspannungs-Trench-Gate-MOSFETS der STripFET H7-Serie von STMicroelectronics sind für leistungsstarke High-Density-Power-Management-Systeme optimiert und kombinieren einen extrem niedrigen Betriebswiderstand und extrem geringe Kapazitäten mit einer optimierten, integrierten Schottky-Diode für den Betrieb bei höheren Schaltfrequenzen in Anwendungen wie z. B. Telekommunikation, Motherboards und Solar-Wechselrichter. Die STripFET H7-Serie verfügt über einen viel geringeren Betriebswiderstand pro Chip-Bereich als die vorherigen Serien H5 und H6, was wiederum die Erfüllung des Entwickler-Wunschs nach Hochleistungsdesigns durch die Reduzierung der Anzahl von parallel geschalteten Komponenten vereinfacht.
Merkmale
- Sehr niedriger Betriebswiderstand
- Sehr geringer Qg-Wert
- Hohe Avalanche-Robustheit

