600-V-Halbbrücken-Gate-Treiber RRW40120

Hochspannungsfähige Hochfrequenz-Gate-Treiber von Renesas sind für HS- und LS-Schalter konzipiert

Abbildung: 600-V-Halbbrücken-Gate-Treiber RRW40120 von RenesasDer RRW40120 ist ein hochspannungsfähiger Hochfrequenz-Gate-Treiber für High-Side- (HS) und Low-Side-Schalter (LS), der für SuperGaN®-FETs und herkömmlichen Leistungs-MOSFETs von Renesas optimiert ist. Das Bauelement enthält unabhängige HS- und LS-Treiber mit separaten Eingangssignalen für maximale Flexibilität bei der Steuerung. Beide Kanäle arbeiten unabhängig voneinander mit angepasster Ausbreitungsverzögerung, um ein präzises Timing in Hochleistungswandlungssystemen zu unterstützen. Der RRW40120 eignet sich für Schaltungen, die das koordinierte HS- und LS-Schalten in Topologien wie LLC-Resonanzwandlern, Sperrwandlern mit aktiver Begrenzung, Vollbrücken, Wechselrichtern und verschiedenen Sperr-, Durchfluss- und Resonanzwandlerdesigns erfordern.

Der Treiber unterstützt CMOS/TTL-kompatible Steuersignale für die einfache Anbindung an eine breite Palette von Controllern und Mikrocontrollern. Außerdem bietet er Unterspannungsabschaltung (UVLO) und eine Schutzsperre, um einen zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten.

Merkmale/Funktionen
  • 600-V-HS/LS-Treiber mit 150 mA bei 12-V-Ausgang, optimiert für SuperGaN-FETs und MOSFETs
  • Gleichtakt-Transientenimmunität (CMTI) von ±50 V/ns
  • Extrem niedriger Stromverbrauch
  • Schaltfrequenz von bis zu500 kHz
  • Sperrfunktion für Durchschlagschutz
  • Unterspannungsabschaltung für beide Kanäle

RRW40120 600 V Half-Bridge Gate Driver

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Veröffentlicht: 2026-04-16