25-W-GaN-HF-Transistor QPD1004A mit Eingangsanpassung

<img src="//sc-a.digikeyassets.com/-/media/Images/Product%20Highlights/Q/Qorvo/QPD1004A%2025%20W%20GaN%20RF%20Input%20Matched%20Transistor/qorvo-qpd1004a-200.jpg?la=en&ts=f1a7ffc2-954c-49f5-b340-95c1d0b2cceb" class="right" " _languageinserted="true" alt="Abbildung: 25-W-GaN-HF-Transistor QPD1004A von Qorvo mit Eingangsanpassung" />Der Qorvo QPD1004A ist ein diskreter GaN-on-SiC-HEMT, der für HF-Leistungsanwendungen entwickelt wurde, die einen hohen Wirkungsgrad und Breitband-Performance erfordern. Er arbeitet im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1.200 MHz und liefert bis zu 40 W Ausgangsleistung bei 1 GHz mit einer typischen Leistungszuwachseffizienz (PAE - Power-Added Efficiency) von 73 %. Das Gerät integriert ein Eingangsanpassungsnetzwerk für eine Impedanz von 50 Ω, was das Design vereinfacht und die Anzahl der externen Komponenten reduziert.

Der QPD1004A ist in einem kompakten 6 mm × 5 mm großen, unbedrahteten SMT-Gehäuse untergebracht und unterstützt sowohl den Dauerstrich- (CW) als auch den Impulsbetrieb. Das Gehäuse mit geringem Wärmewiderstand erhöht die Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen und eignet sich daher für Radar-, Kommunikations- und Testinstrumentensysteme.