SiC-Schottky-Sperrschichtdiode

Die Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Sperrschichtdiode (SBD) der ersten Generation von PANJIT wurde entwickelt, damit Elektroingenieure leistungsstärkere Systeme mit geringerer Wärmeabgabe entwerfen können. Eine Fast-Recovery-Diode (FRD) weist beim Ausschalten einen gewissen Sperrverzögerungsstrom auf, der beim Einschalten des Hauptschalters zusätzliche Schaltverluste erzeugt. Im Gegensatz dazu hat die Schottky-Sperrschichtdiode keinen Sperrverzögerungsstrom, so dass sie bei einer höheren Schaltfrequenz verwendet werden kann, aber sie hat den Nachteil einer niedrigeren Durchbruchspannung aufgrund höheren Leckstroms.

SiC-Bauelemente haben eine höhere Bandlückenenergie als Silizium-Bauelemente, was einen sehr geringen Leckstrom bedeutet. SiC-Bauteile haben auch eine höhere Elektronengeschwindigkeit, was zu einer besseren Schaltleistung als bei Siliziumbauteilen führt.

Die SiC-SBD Gen.1 von Panjit ist für eine geringe Temperaturabhängigkeit der Vorwärtsspannung (V_F) optimiert, so dass Leitungsverluste im Betrieb bei höheren Temperaturen unterdrückt werden können.

Die SiC-SBD Gen.1 von Panjit hat eine Schottky-Sperrschichtstruktur (JBS) durch Hinzufügen einer P+-Schicht auf dem Metallkontaktbereich. Dadurch kann die Stoßstromkapazität erheblich verbessert werden, was für die Gewährleistung der Zuverlässigkeit auf Systemebene beim Kaltstart hilfreich ist.

Die Produktlinie der SiC-SBD Gen.1 von PANJIT gibt es mit Durchbruchspannungen von 650 V und 1.200 V, Nennströmen von 4 A bis 20 A und verschiedenen diskreten Gehäusen wie TO-220AC, TO-263 und TO-252AA.