Gen.2-SGT-MOSFET für DC/DC-Wandler

Die zweite Generation von Shielded-Gate-Trench-MOSFETs (SGT) von PANJIT mit hervorragender FOM-Qualität bietet effiziente Designlösungen für DC/DC-Wandlertopologien in Brick-Modulen. Die 100-V-SGT-Serie wird in 18 Standard- und 17 Logikpegel-Bauteilen angeboten. Die Wafer-Technologie von PANJIT ermöglicht es den Gen.2-SGT-MOSFETs, niedrige Gate-Ladungen und R_DS(ON) zu erzeugen, um Leitungsverluste zu minimieren und eine ausgezeichnete FOM zu schaffen, die die Effizienz verschiedener Topologien optimiert.

Mit seinen herausragenden Systemeffizienzleistungen und Produkteigenschaften ist der Gen.2-SGT-MOSFET eine optimale Option für DC/DC-Wandler. Der DC/DC-Wandler ist ein System zur Leistungswandlung, das häufig für industrielle Komponenten wie z.B. im Bereich der Telekommunikation oder bei der industriellen Stromversorgung eingesetzt wird. Die Anwendung erfordert einen extrem hohen Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit, die die Gen.2-SGT-MOSFETs bieten können, da sie für hochschaltende Anwendungsbedingungen optimiert sind.

Die Serie Gen.2 SGT ist in verschiedenen Größen und Gehäuseoptionen erhältlich, um für alle Brick-Größen und Anwendungen geeignet zu sein; zu den verfügbaren Größen gehören Half Brick, Quarter Brick, Eight Brick, Sixteenth Brick und Thirty-Second Brick. Zu den verfügbaren Gehäusen gehören DFN5060 und DFN3333. Die SGT-MOSFETs der zweiten Generation von PANJIT bieten einfache und effiziente Designlösungen für DC/DC-Wandlersysteme sowie verschiedene Anwendungen von LLC-, PSFB- und synchronen Abwärtsschaltungen und 48-V_DC/DC-Systemen im Automobilbereich, die einen niedrigen FOM und Hochspannungs-MOSFETs erfordern.