Hochleistungsfähiger Bipolartransistor NSVS1001CL

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            Hochleistungsfähiger Bipolartransistor NSVS1001CL
                    Bipolartransistor NSVS1001CL von onsemi bietet neben hoher Schaltgeschwindigkeit und niedriger Sättigungsspannung AEC-Q101-Zulassung und PPAP-Fähigkeit, womit er sich ideal für Automobilanwendungen eignet
    

Der leistungsfähige Bipolartransistor (bipolar junction transistor, BJT) NSVS1001CL von onsemi wurde entwickelt, um die hohen Anforderungen moderner Automobilanwendungen zu erfüllen. Dieser PNP-Transistor zeichnet sich durch eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V_CE(sat)) sowie eine hohe Schaltgeschwindigkeit aus und gewährleistet ein effizientes Leistungsmanagement und eine zuverlässige Performance. Der NSVS1001CL ist AEC-Q101-zugelassen und PPAP-fähig, wodurch er sich für den Einsatz in rauen Automobilumgebungen eignet.

Das kompakte LFPAK8-Gehäuse ermöglicht eine einfache Integration in verschiedene Schaltungsdesigns und bietet die Flexibilität, Systeme hinsichtlich Leistung und Platzbedarf zu optimieren. Mit seiner hohen Strombelastbarkeit und seiner robusten Konstruktion ist der NSVS1001CL ideal für Lastschalt-, Gate-Treiber- und DC/DC-Wandlungsanwendungen geeignet.

Merkmale/Funktionen