Hochspannungsfähige Leistungs-MOSFET- und IGBT-Treiber

onsemi bietet seine hochspannungsfähigen Leistungs-Gate-Treiber für Voll- und Halbbrückenwandler

Abbildung: Leistungs-MOSFET- und IGBT-Treiber von onsemi für hohe SpannungenDie Leistungs-Gate-Treiber von onsemi für hohe Spannungen sind auf Anwendungen im niedrigen bis mittleren Leistungsbereich ausgerichtet und können in Endprodukten wie Haushaltsgroßgeräten, Vorschaltgeräten und industriellen Anwendungen wie Motorsteuerungen eingesetzt werden.

Diese hochspannungsfähigen High-Side- und Low-Side-Treiber sind für einen großen Temperaturbereich (-40 °C < TJ < 125 °C) ausgelegt und können zur Verringerung des Zeit- und Konstruktionsaufwands mit einer Eingangsspannung von bis zu 600 V betrieben werden. Alle Komponenten besitzen eine dv/dt-Immunität von 50 V/ns und sind mit 3,3-V- und 5-V-Eingangslogik kompatibel. Diese Komponenten nutzen das Bootstrap-Verfahren, um eine ordnungsgemäße Ansteuerung des High-Side-Leistungsschalters zu gewährleisten und eine robuste Bauweise zu bieten.

NCP5109, NCP5106B, NCP5181 und NCP5304 sind hochspannungsfähige Leistungs-Gate-Treiber, die zwei Ausgänge zur direkten Ansteuerung von zwei N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in einer Halbbrückenkonfiguration bieten. Der NCP5106A kann in jeder anderen Konfiguration mit High-Side plus Low-Side genutzt werden.

Merkmale
  • Großer Spannungsbereich: bis 600 V
  • dv/dt-Immunität von 50 V/ns
  • Gate-Treiber-Betriebsspannungsbereich von 10 V bis 20 V
  • High- und Low-DRV-Ausgänge
  • Kompatibel mit 3,3-V- und 5-V-Eingangslogik
  • Spannungshub bis auf VCC an Eingangspins
  • Abgestimmte Ausbreitungsverzögerung für beide Kanäle
  • Ausgänge in Phase mit den Eingängen
  • Unabhängige Logikeingänge zur Unterstützung aller Topologien
  • Unterspannungsabschaltung (UVLO) für beide Kanäle
Anwendungen
  • Brückeninverter für USV-Systeme
  • Hochstrom-Energiemanagement
  • Halbbrückenleistungswandler
  • Vollbrückenwandler
  • Beliebige komplementäre Umrichter (asymmetrische Halbbrücken, aktive Klemmung)
Veröffentlicht: 2016-03-01