Hochspannungsfähige Leistungs-MOSFET- und IGBT-Treiber
onsemi bietet seine hochspannungsfähigen Leistungs-Gate-Treiber für Voll- und Halbbrückenwandler
Die Leistungs-Gate-Treiber von onsemi für hohe Spannungen sind auf Anwendungen im niedrigen bis mittleren Leistungsbereich ausgerichtet und können in Endprodukten wie Haushaltsgroßgeräten, Vorschaltgeräten und industriellen Anwendungen wie Motorsteuerungen eingesetzt werden.
Diese hochspannungsfähigen High-Side- und Low-Side-Treiber sind für einen großen Temperaturbereich (-40 °C < TJ < 125 °C) ausgelegt und können zur Verringerung des Zeit- und Konstruktionsaufwands mit einer Eingangsspannung von bis zu 600 V betrieben werden. Alle Komponenten besitzen eine dv/dt-Immunität von 50 V/ns und sind mit 3,3-V- und 5-V-Eingangslogik kompatibel. Diese Komponenten nutzen das Bootstrap-Verfahren, um eine ordnungsgemäße Ansteuerung des High-Side-Leistungsschalters zu gewährleisten und eine robuste Bauweise zu bieten.
NCP5109, NCP5106B, NCP5181 und NCP5304 sind hochspannungsfähige Leistungs-Gate-Treiber, die zwei Ausgänge zur direkten Ansteuerung von zwei N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in einer Halbbrückenkonfiguration bieten. Der NCP5106A kann in jeder anderen Konfiguration mit High-Side plus Low-Side genutzt werden.
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