Zukunftsorientiertes Denken treibt die Entwicklung der Energieinfrastruktur voran – onsemi

650-V-SiC-MOSFETs

Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs nutzen eine Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit als Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

900-V-SiC-MOSFETs

Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs nutzen eine Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit als Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

1200-V-SiC-MOSFETs M3S

Die planaren 1200-V-SiC-MOSFETs der Familie M3S von onsemi sind für schnelle Schaltanwendungen optimiert. Die Planar-Technologie bietet den zuverlässigen Betrieb mit negativer Gate-Spannung und schaltet Spannungsspitzen am Gate aus. Die Familie bietet optimale Leistung, wenn sie mit 18-V-Gate-Ansteuerung betrieben wird, eignet sich aber auch gut für eine 15-V-Gate-Ansteuerung.

650-V-SiC-Dioden

Die Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Dioden von onsemi nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Rückwärtserholungsstrom, ein temperaturunabhängiges Schaltverhalten und ein hervorragendes thermisches Verhalten machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, höhere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

1200-V-SiC-Dioden

Die 1200-V-SiC-MOSFETs von onsemi nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI und reduzierte Systemgrößen.

1700-V-SiC-Dioden

Die 1700-V-Siliziumkarbid-(SiC-)Schottky-Dioden von onsemi nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, ein temperaturunabhängiges Schaltverhalten und eine hervorragende thermische Performance machen Siliziumkarbid zum Leistungshalbleiter der nächsten Generation. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

SiC-Treiber

Der schnelle einkanalige 6-A-Low-Side-Treiber NCx51705 von onsemi ist in erster Linie für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs konzipiert. Um möglichst geringe Leitungsverluste zu erzielen, kann der Treiber die maximal zulässige Gate-Spannung an das SiC-MOSFET-Bauelement liefern. Durch die Bereitstellung eines hohen Spitzenstroms während des Ein- und Ausschaltens werden auch die Schaltverluste minimiert. Für eine verbesserte Zuverlässigkeit, dV/dT-Immunität und ein noch schnelleres Ausschalten kann der NCx51705 mit seiner integrierten Ladungspumpe eine vom Benutzer wählbare negative Spannungsschiene erzeugen. Für isolierte Anwendungen bietet der NCx51705 auch eine von außen zugängliche 5-V-Schiene zur Versorgung der Sekundärseite von digitalen oder Hochgeschwindigkeits-Optoisolatoren.

Isolierte Hochstrom-Gate-Treiber

Das Portfolio an Gate-Treibern von onsemi umfasst GaN-, IGBT-, FET-, MOSFET-, H-Brücken-MOSFET- und SiC-MOSFET-Treiber mit invertierenden und nicht invertierenden Eigenschaften, die sich ideal für Schaltanwendungen eignen.

Leistungsmodule und SiC-Hybridmodule

Merkmale/Funktionen

1. Optimiert für überlegene Performance
2. Geringerer Wärmewiderstand als diskrete Bauelemente
3. Leicht zu montierende Gehäuse mit branchenüblichen Pinbelegungen

IGBT

Die IGBT von onsemi bieten optimale Leistung durch den Ausgleich von VCE(sat)- und Eoff-Verlusten und kontrollierbarem Vce-Überschwingen beim Abschalten. Außerdem zeichnen sie sich durch maximale Zuverlässigkeit und Leistung aufgrund eines positiven Temperaturkoeffizienten, eine niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat)), sehr geringe Schalt- und Leitungsverluste sowie schnelles Schalten aus. Sie eignen sich gut für leistungsstarke Energiewandlungsanwendungen und sind für Automobil- und Industrieanwendungen entwickelt und zugelassen.

Galvanisch getrennte Gate-Treiber

Das Portfolio an Gate-Treibern von onsemi umfasst GaN-, IGBT-, FET-, MOSFET-, H-Brücken-MOSFET- und SiC-MOSFET-Treiber mit invertierenden und nicht invertierenden Eigenschaften, die sich ideal für Schaltanwendungen eignen.

Strommessverstärker

Strommessverstärker liefern wichtige Informationen, die durch die Überwachung des Stromverbrauchs die Sicherheits- und Diagnosefunktionen eines Systems unterstützen können. Sie enthalten externe Widerstände für eine höhere Genauigkeit und eine kleinere Grundfläche, um eigenständige Operationsverstärker zu unterstützen.

Operationsverstärker: Spannungs- und Stromsensorik

Die CMOS-Verstärker bieten den Rail-zu-Rail-Betrieb, der einen größeren Dynamikbereich erlaubt. Unterschiedliche Systemanforderungen und ein Bereich von 270 kHz bis 10 MHz bieten Systementwicklern Flexibilität bei der Verstärkerauswahl. Sie sind auch in verschiedenen platzsparenden Gehäusen erhältlich, die sowohl den Leistungs- als auch den Platzanforderungen moderner Systemdesigns gerecht werden.

Spannungsregler (LDO)

Linearregler (LDO) bieten eine optimale Lösung für die Anforderungen an ein stromsparendes, platzbewusstes und rauscharmes Design. Dank des einfachen Designs und der wenigen externen Komponenten lassen sie sich leicht in das Endprodukt integrieren. Dieses breite Sortiment zeichnet sich durch ein hohes PSRR, geringes Rauschen, einen niedrigen Ruhestrom (Iq), eine niedrige Abfallspannung und einen großen Eingangsspannungsbereich aus. Als Marktführer bietet onsemi Teile an, die mit einem robusten Design und einer hochwertigen Fertigung die beste Leistung für die Industrie bieten. Die Gehäuseoptionen reichen von der kleinsten Größe in der Branche bis hin zu Gehäusen für höhere Leistungen, die eine ideale Lösung für Automobil-, Industrie- und Verbraucheranwendungen darstellen.

AC/DC- und DC/DC-Regler/Wandler

onsemi verfügt über ein umfassendes Portfolio an Offline-AC/DC- und DC/DC-Wandlern und -Reglern sowie Reglern mit Leistungsfaktorkorrektur und sekundärseitigen Reglern, die einen hohen Wirkungsgrad im aktiven Modus, einen niedrigen Verbrauch im Standby-Modus und eine Leistungsfaktorkorrektur ermöglichen.

650-V-SiC-MOSFETs

Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs nutzen eine Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit als Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

900-V-SiC-MOSFETs

Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs nutzen eine Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit als Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

1200-V-SiC-MOSFETs M3S

Die planaren 1200-V-SiC-MOSFETs der Familie M3S von onsemi sind für schnelle Schaltanwendungen optimiert. Die Planar-Technologie bietet den zuverlässigen Betrieb mit negativer Gate-Spannung und schaltet Spannungsspitzen am Gate aus. Die Familie bietet optimale Leistung, wenn sie mit 18-V-Gate-Ansteuerung betrieben wird, eignet sich aber auch gut für eine 15-V-Gate-Ansteuerung.

650-V-SiC-Dioden

Die Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Dioden von onsemi nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Rückwärtserholungsstrom, ein temperaturunabhängiges Schaltverhalten und ein hervorragendes thermisches Verhalten machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, höhere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

1200-V-SiC-Dioden

Die 1200-V-SiC-MOSFETs von onsemi nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen.

1700-V-SiC-Dioden

Die 1700-V-Siliziumkarbid-(SiC-)Schottky-Dioden von ON Semiconductor nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, ein temperaturunabhängiges Schaltverhalten und eine hervorragende thermische Performance machen Siliziumkarbid zum Leistungshalbleiter der nächsten Generation. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

SiC-Treiber

Der schnelle einkanalige 6-A-Low-Side-Treiber NCx51705 von onsemi ist in erster Linie für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs konzipiert. Um möglichst geringe Leitungsverluste zu erzielen, kann der Treiber die maximal zulässige Gate-Spannung an das SiC-MOSFET-Bauelement liefern. Durch die Bereitstellung eines hohen Spitzenstroms während des Ein- und Ausschaltens werden auch die Schaltverluste minimiert. Für eine verbesserte Zuverlässigkeit, dV/dT-Immunität und ein noch schnelleres Ausschalten kann der NCx51705 mit seiner integrierten Ladungspumpe eine vom Benutzer wählbare negative Spannungsschiene erzeugen. Für isolierte Anwendungen bietet der NCx51705 auch eine von außen zugängliche 5-V-Schiene zur Versorgung der Sekundärseite von digitalen oder Hochgeschwindigkeits-Optoisolatoren.

Isolierte Hochstrom-Gate-Treiber

Das Portfolio an Gate-Treibern von onsemi umfasst GaN-, IGBT-, FET-, MOSFET-, H-Brücken-MOSFET- und SiC-MOSFET-Treiber mit invertierenden und nicht invertierenden Eigenschaften, die sich ideal für Schaltanwendungen eignen.

Leistungsmodule und SiC-Hybridmodule

FS4-IGBT, 650 V

Die IGBT von onsemi bieten optimale Leistung durch den Ausgleich von VCE(sat)- und Eoff-Verlusten und kontrollierbarem Vce-Überschwingen beim Abschalten. Außerdem zeichnen sie sich durch maximale Zuverlässigkeit und Leistung aufgrund eines positiven Temperaturkoeffizienten, eine niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat)), sehr geringe Schalt- und Leitungsverluste sowie schnelles Schalten aus. Sie eignen sich gut für leistungsstarke Energiewandlungsanwendungen und sind für Automobil- und Industrieanwendungen entwickelt und zugelassen.

Galvanisch getrennte Gate-Treiber

Das Portfolio an Gate-Treibern von onsemi umfasst GaN-, IGBT-, FET-, MOSFET-, H-Brücken-MOSFET- und SiC-MOSFET-Treiber mit invertierenden und nichtinvertierenden Eigenschaften, die sich ideal für Schaltanwendungen eignen.

AC/DC- und DC/DC-Regler/Wandler

onsemi verfügt über ein umfassendes Portfolio an Offline-AC/DC- und DC/DC-Wandlern und -Reglern sowie Reglern mit Leistungsfaktorkorrektur und sekundärseitigen Reglern, die einen hohen Wirkungsgrad im aktiven Modus, einen niedrigen Verbrauch im Standby-Modus und eine Leistungsfaktorkorrektur ermöglichen.

CAN

Die drahtgebundenen Transceiver von onsemi eignen sich ideal für die Vernetzung im Fahrzeug, die industrielle Vernetzung, dezentrale Türelektroniken, Karosseriesteuergeräte, Haus-, Gebäude- und Prozessautomatisierung, Umweltüberwachung und Smart-Energy-Anwendungen. Das Portfolio umfasst auch AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen, die speziell für Anwendungen in der Automobilindustrie entwickelt und qualifiziert wurden.

BLE

Mit der drahtlosen Bluetooth® Low Energy-Konnektivität erfüllt der RSL15 die wachsende Nachfrage nach Sicherheit bei vernetzten industriellen Anwendungen, ohne dabei die Energiesparsamkeit zu beeinträchtigen.

Bauteile für das Wärmemanagement

650-V-SiC-MOSFETs

Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs nutzen eine Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit als Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

900-V-SiC-MOSFETs

Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs nutzen eine Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit als Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

1200-V-SiC-MOSFETs M3S

Die planaren 1200-V-SiC-MOSFETs der Familie M3S von onsemi sind für schnelle Schaltanwendungen optimiert. Die Planar-Technologie bietet den zuverlässigen Betrieb mit negativer Gate-Spannung und schaltet Spannungsspitzen am Gate aus. Die Familie bietet optimale Leistung, wenn sie mit 18-V-Gate-Ansteuerung betrieben wird, eignet sich aber auch gut für eine 15-V-Gate-Ansteuerung.

650-V-SiC-Dioden

Die Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Dioden von onsemi nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Rückwärtserholungsstrom, ein temperaturunabhängiges Schaltverhalten und ein hervorragendes thermisches Verhalten machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, höhere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

1200-V-SiC-Dioden

Die 1200-V-SiC-MOSFETs von onsemi nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI und reduzierte Systemgrößen.

1700-V-SiC-Dioden

Die 1700-V-Siliziumkarbid-(SiC-)Schottky-Dioden von ON Semiconductor nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, ein temperaturunabhängiges Schaltverhalten und eine hervorragende thermische Performance machen Siliziumkarbid zum Leistungshalbleiter der nächsten Generation. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, schnellere BetriebsfrequenzEN, höhere LeistungsdichteN, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

SiC-Treiber

Der schnelle einkanalige 6-A-Low-Side-Treiber NCx51705 von onsemi ist in erster Linie für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs konzipiert. Um möglichst geringe Leitungsverluste zu erzielen, kann der Treiber die maximal zulässige Gate-Spannung an das SiC-MOSFET-Bauelement liefern. Durch die Bereitstellung eines hohen Spitzenstroms während des Ein- und Ausschaltens werden auch die Schaltverluste minimiert. Für eine verbesserte Zuverlässigkeit, dV/dT-Immunität und ein noch schnelleres Ausschalten kann der NCx51705 mit seiner integrierten Ladungspumpe eine vom Benutzer wählbare negative Spannungsschiene erzeugen. Für isolierte Anwendungen bietet der NCx51705 auch eine von außen zugängliche 5-V-Schiene zur Versorgung der Sekundärseite von digitalen oder Hochgeschwindigkeits-Optoisolatoren.

Isolierte Hochstrom-Gate-Treiber

Das Portfolio an Gate-Treibern von onsemi umfasst GaN-, IGBT-, FET-, MOSFET-, H-Brücken-MOSFET- und SiC-MOSFET-Treiber mit invertierenden und nicht invertierenden Eigenschaften, die sich ideal für Schaltanwendungen eignen.

Leistungsmodule und SiC-Hybridmodule

CAN

Die drahtgebundenen Transceiver von onsemi eignen sich ideal für die Vernetzung im Fahrzeug, die industrielle Vernetzung, dezentrale Türelektroniken, Karosseriesteuergeräte, Haus-, Gebäude- und Prozessautomatisierung, Umweltüberwachung und Smart-Energy-Anwendungen. Das Portfolio umfasst auch AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen, die speziell für Anwendungen in der Automobilindustrie entwickelt und qualifiziert wurden.

BLE

Mit der drahtlosen Bluetooth® Low Energy-Konnektivität erfüllt der RSL15 die wachsende Nachfrage nach Sicherheit bei vernetzten industriellen Anwendungen, ohne dabei die Energiesparsamkeit zu beeinträchtigen.

Galvanisch getrennte Gate-Treiber

Das Portfolio an Gate-Treibern von onsemi umfasst GaN-, IGBT-, FET-, MOSFET-, H-Brücken-MOSFET- und SiC-MOSFET-Treiber mit invertierenden und nicht invertierenden Eigenschaften, die sich ideal für Schaltanwendungen eignen.

Digital-Isolatoren

Die Digital-Isolatoren von onsemi verwenden ein moduliertes Hochfrequenzsignal, um digitale Hochgeschwindigkeitsdaten über eine kapazitive Trennbarriere zu übertragen. Das Signal wird dann auf der anderen Seite der Barriere demoduliert, wodurch ein hochspannungsisolierter Datenübertragungsempfänger entsteht. Durch den Einsatz digitaler Technologie (z. B. Manchester-Codierung/Decodierung, Verfolgung digitaler Parameter) ist der Digital-Isolator in der Lage, über einen weiten Temperaturbereich und über die gesamte Lebensdauer des Bauteils eine gleichbleibende Leistung zu erbringen.

AC/DC- und DC/DC-Regler

onsemi verfügt über ein umfassendes Portfolio an Offline-AC/DC- und DC/DC-Wandlern und -Reglern sowie Leistungsfaktorreglern und sekundärseitigen Reglern, die einen hohen Wirkungsgrad im aktiven Modus, einen niedrigen Verbrauch im Standby-Modus und eine Leistungsfaktorkorrektur ermöglichen.

1. Offline-Schaltregler, einschließlich PWM-Sperr-/Durchlassreglern mit fester Frequenz sowie strom- und spannungsgesteuerten Reglern.
2. Offline-Schaltregler, einschließlich strom- und spannungsgesteuerter Gate-Oszillatoren.
3. Leistungsfaktorregler mit variablem Betrieb an der Leitungsgrenze (CRM), Dauerleitbetrieb (CCM) und lückendem Betrieb (DCM), die eine Leistungsfaktorkorrektur ermöglichen.
4. Sekundärseitiger Regler für Synchrongleichrichtung.
5. Strom- und spannungsgesteuerte DC/DC-Regler für DC/DC-Leistungswandlungsschaltungen.

AC/DC- und DC/DC-Regler

onsemi verfügt über ein umfassendes Portfolio an Offline-AC/DC- und DC/DC-Wandlern und -Reglern sowie Leistungsfaktorreglern und sekundärseitigen Reglern, die einen hohen Wirkungsgrad im aktiven Modus, einen niedrigen Verbrauch im Standby-Modus und eine Leistungsfaktorkorrektur ermöglichen.

1. Offline-Schaltregler, einschließlich PWM-Sperr-/Durchlassreglern mit fester Frequenz sowie strom- und spannungsgesteuerten Reglern.
2. Offline-Schaltregler, einschließlich strom- und spannungsgesteuerter Gate-Oszillatoren.
3. Leistungsfaktorregler mit variablem Betrieb an der Leitungsgrenze (CRM), Dauerleitbetrieb (CCM) und lückendem Betrieb (DCM), die eine Leistungsfaktorkorrektur ermöglichen.
4. Sekundärseitiger Regler für Synchrongleichrichtung.
5. Strom- und spannungsgesteuerte DC/DC-Regler für DC/DC-Leistungswandlungsschaltungen.

DC/DC-Wandler