Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs für industrielle Anwendungen

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            Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs für industrielle Anwendungen
  
                    Die MOSFETs von Nexperia sind ideal für industrielle Anwendungen wie Photovoltaik-Wechselrichter und Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge

Image of Nexperia Silicon Carbide (SiC) MOSFETs for Industrial Applications Als Antwort auf die wachsende Nachfrage nach industriellen Hochleistungs- und Hochspannungsanwendungen bieten die SiC-MOSFETs aus Siliziumkarbid von Nexperia eine hervorragende R_DS(ON)-Temperaturstabilität, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine hohe Kurzschlussfestigkeit, was sie zur ersten Wahl für Ladeinfrastrukturen von Elektrofahrzeugen, Photovoltaik-Wechselrichter und Motorantriebe macht.

Diese MOSFETs verfügen über eine sehr schnelle und robuste intrinsische Substratdiode mit niedriger Durchlassspannung. Sie haben außerdem eine hervorragende Gate-Ladung und ein günstiges Gate-Ladungsverhältnis.

Merkmale/Funktionen

Extrem niedrige Schwellenspannungstoleranz
Geringerer Leckstrom: bis zu 1.200 V
Sehr geringe Schaltverluste
Temperaturunabhängige Abschalt-Schaltverluste

Anwendungen/Zielmärkte

Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge
Photovoltaik-Wechselrichter
Schaltnetzteile
Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
Motorantrieben

Silicon Carbide MOSFETs

	Abbildung	Hersteller-Teilenummer	Beschreibung	Verfügbare Menge	Preis	Details anzeigen
		NSF040120L3A0Q	SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3	352 - Sofort	$19.63	Details anzeigen
		NSF080120L3A0Q	SICFET N-CH 1200V 35A TO247-3	203 - Sofort	$7.57	Details anzeigen