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P-Kanal-MOSFETs MCG052P10Y-TP/MCAC054P10Y-TP im DFN3333- und DFN5060-Gehäuse
Die P-Kanal-MOSFETs von MCC sind mit einer Drain-Source-Spannung (VDS) von 100 V ausgelegt und damit ideal für Hochspannungsanwendungen geeignet
Die leistungsstarken P-Kanal-MOSFETs von Micro Commercial Components (MCC) wurden entwickelt, um High-Side-Schalterdesigns zu vereinfachen. Zu ihnen gehören der kompakte MCG052P10Y-TP im DFN333-Gehäuse und der MCAC054P10Y-TP im DFN5060-Gehäuse. Diese Komponenten bieten ein effizientes Energiemanagement, indem sie einen niedrigen RDS(ON) mit robusten Dauerstromwerten kombinieren. Der MCG052P10Y-TP verfügt über einen Durchlasswiderstand von 52 mΩ bei einem Dauernennstrom von 16 A, während der MCAC054P10Y-TP einen Durchlasswiderstand von 54 mΩ bei einem höheren Dauernennstrom von 25 A bietet. Beide MOSFETs nutzen die Split-Gate-Trench-Technologie, die eine hervorragende Stabilität, einen niedrigen Durchlasswiderstand und eine hohe Effizienz für anspruchsvolle Anwendungen gewährleistet.
- Niedriger RDS(ON) von 52 mΩ (max.) und 54 mΩ (max.) bei VGS = 10 V, wodurch Leitungsverluste minimiert und die Gesamteffizienz des Systems verbessert werden
- Optimierte Split-Gate-Trench-MOSFET-Technologie für niedrige Schaltverluste und höhere Wirkungsgrade
- 100 VDS ist ideal für Hochspannungsanwendungen geeignet
- Der geringere Wärmewiderstand von +5 °C/W und +1,86 °C/W zwischen Sperrschicht und Umgebung ermöglicht eine effiziente Wärmeübertragung auf die Leiterplatte und damit einen stabilen Betrieb bei hohen Leistungsstufen ohne sofortige thermische Abschaltung
- RoHS- und halogenfrei, entspricht den globalen Umweltstandards und Initiativen für umweltfreundliche Fertigung
- Stromverteilung und Lastschaltung in Servern, Speichersystemen und Netzwerkgeräten
- Batteriemanagementsysteme (BMS)
- DC/DC-Wandler
- Professionelle Audio-Verstärker
- Industrielle Motorantriebe und Magnetventilsteuerung
