Ultra-Junction-Leistungs-MOSFET der Klasse X3 mit 650 V

IXYS, ein Unternehmen von Littelfuse Technology, hat die N-Kanal-Ultra-Sperrschicht-MOSFETs der Klasse X3 entwickelt. Diese Ultra-Junction-MOSFETs verwenden ein Ladungskompensationsprinzip und eine proprietäre Prozesstechnologie und bieten eine erstklassige Leistungskennzahl (Durchlasswiderstand mal Gate-Ladung), was sich in niedrigsten Leitungs- und Schaltverlusten niederschlägt. Sie weisen die niedrigsten Durchlasswiderstände in der Branche auf. Dank der niedrigen Sperrverzögerungsladung und -zeit können die schnellen Substratdioden während des Hochgeschwindigkeitsschaltens sämtliche Restenergien entfernen, um Geräteausfälle zu vermeiden und eine hohe Effizienz zu erreichen. Diese Komponenten sind Avalanche-fähig und weisen auch eine hervorragende dV/dT-Leistung auf. Sie sind robust gegen Geräteausfälle, die durch Spannungsspitzen und versehentliches Einschalten von parasitären bipolaren Transistoren in der MOSFET-Struktur verursacht werden. Daher benötigen diese robusten Komponenten weniger Snubber und können sowohl in hart als auch in weich schaltenden Stromrichtern eingesetzt werden.