SLC-NAND-Flash für Automobil- und Industriemärkte

Das Unternehmen Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) gibt bekannt, dass es damit begonnen hat, Kfz-taugliche Produktionseinheiten von seriellem (SPI) und parallelem SLC-NAND-Flash zu testen. Das SLC-NAND-Flash von ISSI unterstützt einen weiten Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis +105 °C und ist damit ideal für die nächste Generation von Anwendungen in den Bereichen Automobilelektronik, Industrie und Internet of Things (IoT) geeignet. Sowohl die SPI-NAND- als auch die parallelen NAND-Flash-Speicher sind AEC-Q100-qualifiziert und erfüllen die strengen Anforderungen für die Automobilelektronik. Das SPI-NAND ist zur Zeit mit einer Speicherdichte von 1 Gbit verfügbar, während das parallele SLC-NAND in Dichten von 1 Gbit, 2 Gbit und 4 Gbit verfügbar ist. ISSI arbeitet an zusätzlichen Speicherdichten für NAND-Flash-Speicher und Multichip(MCP)-Gehäuseoptionen für serielle/parallele NAND/NOR-Flash-Speicher sowie seiner DRAM-Produktlinie.

Zusätzlich zu SPI NAND und parallelem NAND-Flash bietet ISSI eine Vielzahl von DRAMs, einschließlich SDR, DDR2, DDR3 und mobiles SDR, LPDDR, LPDDR2, eine vollständige Produktlinie von sowohl asynchronen als auch synchronen SRAMs mit Dichten von 64 Kb bis 72 Mb und ein breites Portfolio von NOR Flash von 256 Kb bis 512 Mb.