USB-C-Adapter und -Ladegeräte

CoolGaN™-GIT-HEMTs mit 600 V

Der CoolGaN™-GIT-HEMT von Infineon nutzt hocheffiziente GaN-(Galliumnitrid)-Transistor-Technologie für die Leistungswandlung im Spannungsbereich bis 600 V. Mit umfassender Erfahrung auf dem Halbleitermarkt hat Infineon mit seiner GaN-Technologie das E-Mode-Konzept mit durchgehender Massenproduktion zur Reife gebracht. Die bahnbrechende Qualität gewährleistet die höchsten Standards und bietet die zuverlässigste und leistungsstärkste Lösung unter allen GaN-HEMTs auf dem Markt.

In Ladegeräten und Adaptern ermöglichen GaN-HEMT-Transistoren eine überragende und hocheffiziente Schalt-Performance und tragen wesentlich zur Erreichung von Designs mit hoher Leistungsdichte bei.

Integrierte CoolGaN™-Leistungsstufen (IPS) mit 600 V

Die GaN-Technologie mit integrierten Treibern kommt Systemen zugute, die eine höhere Schaltfrequenz und Leistungsdichte benötigen. Für die Entwicklung bedeuten die CoolGaN™-IPS energieeffizientere Systeme dank überlegener Energieübertragung im Vergleich zu typischen Siliziumsubstraten, eine höhere Designflexibilität mit verbesserter Platinenplatznutzung und eine schnellere Markteinführung, da der einzelne GaN-/Leistungs-IC eine vereinfachte Implementierung bietet.

CoolMOS™ PFD7 mit 600 V

Die neueste 600-V-Serie CoolMOS™ PFD7 setzt neue Maßstäbe in der 600-V-Superjunction-(SJ)-Technologie, die sich für Designs mit ultrahoher Leistungsdichte wie Ladegeräte und Adapter eignet. Diese Produktfamilie bietet einen um bis zu 1,17 % höheren Wirkungsgrad im Vergleich zu den CoolMOS™-P7-Technologien, was zu einer Erhöhung der Leistungsdichte um 1,8 W führt. Diese beachtliche Verbesserung wird durch geringere Leitungs- und Ladungs-/Entladungsverluste sowie reduzierte Abschalt- und Gate-Ansteuerungsverluste erreicht, die durch die Weiterentwicklung der hochmodernen CoolMOS™-Technologie möglich sind.

CoolMOS™ P7 mit 600 V

Die SJ-MOSFET-Familie CoolMOS™ P7 mit 600 V ist die ausgewogenste CoolMOS™-Technologie von Infineon in Bezug auf Benutzerfreundlichkeit und hervorragenden Wirkungsgrad und ist in verschiedenen R_DS(on)-Klassen und Gehäusen erhältlich. Im Vergleich zu seinen Vorgängern bietet dieser MOSFET höchste Effizienz und eine verbesserte Leistungsdichte aufgrund der deutlich reduzierten Gateladung (QG) und Schaltverluste (EOSS-Pegel) sowie eines optimierten Widerstands im EIN-Zustand (R_DS(on)).

CoolMOS™ P7 mit 700 V

Der 700-V-CoolMOS™-P7 bietet eine preisgünstige Lösung für Verbraucheranwendungen wie Ladegeräte und Adapter im Leistungsbereich von 10 W bis 75 W. Mit anderen Worten: Dieses Produkt richtet sich an den Markt für Niederleistungsschaltnetzteile, wo er durch seine hervorragende Performance und Benutzerfreundlichkeit häufige Hindernisse beseitigt. Die genannten Leistungswandler basieren in der Regel auf Sperrwandler-Topologien. Deshalb ist der 700-V-CoolMOS™-P7 kein Mehrzweck-MOSFET mehr, sondern eine maßgeschneiderte Technologie, die für Sperrtopologien optimiert ist.

Im SOT-223-Gehäuse

Der 700-V-CoolMOS™-P7 ist in einem preiswerten SOT-223-Gehäuse erhältlich, das sich perfekt als Ersatz eignet, da es den gängigen DPAK-Merkmalen entspricht (d. h. kleinerer Footprint bei gleichzeitiger Pinkompatibilität mit DPAK) und die Materialkosten insgesamt reduziert. Kleinere Formfaktoren ermöglichen Platzeinsparungen ohne nennenswerte Nachteile bei der Wärmeableitung. Mit dem CoolMOS™ P7 im SOT-223 leistet Infineon einen Beitrag zur Entwicklung wettbewerbsfähiger Produkte, die der steigenden Nachfrage nach kompakten, leichten und schlanken Niederleistungsschaltnetzteilen entsprechen.

CoolMOS™ C7 mit 650 V

Die 650-V-Superjunction-MOSFET-Serie CoolMOS™ C7 wurde entwickelt, um eine Performance auf Rekordniveau zu erreichen. Die MOSFETs bieten über den gesamten Lastbereich hart schaltender Anwendungen erhebliche Wirkungsgradvorteile im Vergleich zu früheren Serien und zu den Pendants der Marktbegleiter. Erreicht wird dies durch die Minimierung von Schaltverlusten über ultraniedrige Schaltverluste (EOSS) (ca. 50 Prozent Reduzierung im Vergleich zum CoolMOS™ CP), eine reduzierte Gateladung (QG) und eine sorgfältige Abstimmung anderer relevanter Produkt-Hauptparameter. Die niedrigen Werte bei EOSS und QG ermöglichen zudem den Betrieb mit einer höheren Schaltfrequenz und die damit verbundene Verkleinerung der Magnetbauteile im Schaltkreis.

OptiMOS™ PD – Synchrongleichrichter und Lastschalter (25 V - 150 V)

Maßgefertigte Niederspannungs-MOSFETs in kleinen Gehäusen

Hauptmerkmale und technische Vorteile

• Super-SO8- und PQFN-Gehäuse mit 3,3 mm x 3,3 mm
• Logikpegel verfügbar
• Niedriger R_DS(ON)
• Niedrige Gate-, Ausgangs- und Sperrverzögerungsladung
• Überlegenes thermisches Verhalten
• Ausgezeichnetes Preis-Leistungs-Verhältnis
• Hoher Wirkungsgrad und hohe Leistungsdichte

OptiMOS™ 6 - Schalter mit Synchrongleichrichtung (40 V)

Kombination aus erstklassigem R_DS(on) und überlegener Schaltleistung

Hauptmerkmale und technische Vorteile

• PQFN-Gehäuse mit 3,3 mm x 3,3 mm
• Optimiert für Synchrongleichrichtung
• Extrem niedriger R_DS(on)
• Ausgezeichneter thermischer Widerstand
• Erhöhte Leistungsdichte
• Höhere Systemeffizienz
• Reduzierung der Systemkosten

OptiMOS™ 5 – Lastschalter (25 V - 30 V)

Steigerung der Systemleistung mit erstklassiger Technologie

Hauptmerkmale und technische Vorteile

• Erstklassige Lösung für hohen Wirkungsgrad in kleinem Formfaktor
• Branchenweit niedrigster R_DS(on) im kleinsten PQFN-2x2-Gehäuse
• Hervorragende elektrische Leistung
• Höchste Performance und Leistungsdichte
• Reduzierung der Systemkosten
• Erhebliche Platzeinsparung
• Einfache Entwicklung mit kleinem Footprint