Hocheffiziente 40-V-GaN-Energieversorgungslösungen: CoolGaN™ BDS
Die hocheffizienten 40-V-GaN-CoolGaN-BDS-Energieversorgungslösungen von Infineon Technologies sind für die nächste Generation von Niederspannungsdesigns konzipiert
Die 40-V-G3-CoolGaN-BDS-Familie von Infineon Technologies verleiht Niederspannungsanwendungen die Vorteile der Galliumnitrid (GaN)-Technologie. Sie bietet im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-MOSFETs deutlich reduzierte Schaltverluste, ultraschnelle Schaltgeschwindigkeiten und eine verbesserte Gesamteffizienz. Mit diesen für den Hochfrequenzbetrieb optimierten Bausteine können Entwickler die Systemgröße reduzieren und gleichzeitig eine hervorragende Leistung beibehalten.
Das 40-V-G3-CoolGaN-BDS-Portfolio wurde entwickelt, um eine breite Palette von Leistungswandlungstopologien zu unterstützen und bietet einen niedrigen RDS(on), eine niedrige Gate-Ladung und eine hervorragende Leistungszahl (FOM). Diese Kombination ermöglicht eine höhere Leistungsdichte und einen verbesserten thermischen Wirkungsgrad, wodurch sich diese Bausteine ideal für kompakte, leistungsstarke Designs eignen.
Um die Entwicklung zu beschleunigen, bietet Infineon Evaluierungsboards und Referenzdesigns an, die Ingenieuren helfen, CoolGaN-basierte Lösungen schnell zu implementieren und zu validieren, um die Markteinführungszeit und die Komplexität des Designs zu reduzieren.
- Niedriger RDS(ON) für reduzierte Leitungsverluste
- Sehr niedrige Gate-Ladung (Qg)
- Hochgeschwindigkeits-Schaltfunktion
- Geringe Schaltverluste im Vergleich zu Silizium-MOSFETs
- Ausgezeichnete FOM (RDS(on) x Qg)
- Optimiert für Hochfrequenzanwendungen
- Kompakte Abmessungen, die sich für räumlich begrenzte Designs eignen
- Robuste und zuverlässige Leistung
- Höhere Systemeffizienz und geringerer Energieverbrauch
- Geringere Systemgröße durch höhere Schaltfrequenz
- Geringere Wärmeentwicklung und verbessertes Wärmemanagement
- Erhöhte Leistungsdichte
- Geringere Größe und Kosten der passiven Komponenten
- Verbesserte Gesamtsystemleistung
- Lastpunkt-Wandler
- Synchrone Abwärtswandler
- Batteriebetriebene Systeme
- Niederspannungsmotorantriebe (Ventilatoren, Pumpen)
- Robotik und Drohnen
- Stromversorgungen für Server und Telekommunikation
- Verbraucherelektronik
CoolGaN™ BDS High-Efficiency 40 V GaN Power Solutions
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | IGK048B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 53A 16WLBGA | 4,8mOhm bei 5A, 5V | 9.1 nC @ 5 V | 600 pF @ 20 V | 3964 - Sofort | $1.14 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | IGK120B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 30A 16WLBGA | 12mOhm bei 5A, 5V | 4.4 nC @ 5 V | 290 pF @ 20 V | 3975 - Sofort | $0.54 | Details anzeigen |



