Hochvolumige gepulste Halbleiter-Laserdiode TPG2EW1S09

Die hochvolumige gepulste Halbleiter-Laserdiode (PLD) der zweiten Generation von Excelitas Technologies emittiert bei 905 nm im Nahinfrarot-Bereich und verfügt über ein mehrschichtiges monolithisches Chipdesign. Mit einer optischen Emissionsfläche von 225 µm x 10 µm durch die Emission von drei Laserlinien bietet die 905-nm-PLD der zweiten Generation eine hohe Ausgangsleistung auf einer kleinen emittierenden Fläche. Dieses Produkt bietet eine höhere Effizienz (3 W/A) als sein Vorgänger bei einer größeren Reichweite und einem geringeren Stromverbrauch. Seine verbesserte GaAs-Struktur bietet typischerweise eine gepulste Spitzenleistung von 85 W, wenn sie mit 30 A betrieben wird, was eine Steigerung der optischen Leistung um mehr als 20 % bei gleichem Treiberstrom bedeutet. Die hochvolumige PLD der zweiten Generation mit 905 nm ist eine ideale Lösung für industrielle und Verbraucheranwendungen im Bereich der Entfernungsmessung und LiDAR-Anwendungen, die Laufzeitmessungen (ToF) erfordern.