Nichtflüchtiger serieller F-RAM™-Speicher

Der serielle F-RAM-Speicher (Ferroelectric RAM) von Cypress Semiconductor verbindet nichtflüchtige Datenspeicherung mit der schnellen Geschwindigkeit von RAM. Serieller F-RAM bietet Speicherdichten im Bereich von 4 KBit bis 4 MBit, SPI- und I²C-Schnittstellen und branchenübliche Standardgehäuse. Serielles F-RAM hat drei entscheidende Vorteile gegenüber herkömmlichen nichtflüchtigen Speichern: schnelle Schreibgeschwindigkeit ohne Schreibzugriff-Verzögerung, praktisch unbegrenzte Lebensdauer und geringer Energieverbrauch.

Serielles F-RAM bietet schnelle Schreibvorgänge bei voller Schnittstellen-Geschwindigkeit. Serielles F-RAM hat keine Schreibverzögerungen; Daten sind sofort nichtflüchtig. Traditionelle nichtflüchtige Speicher haben eine Verzögerung von > 5 ms, bevor die Daten nichtflüchtig sind. Wenn der Strom unterbrochen wird, gehen anstehenden Daten verloren, es sei denn, das System enthält zusätzliche Kapazitäten oder Batterien, die das System weiter betreiben, bis die Daten gespeichert sind.

Serieller F-RAM bietet nahezu unbegrenzte Lebensdauer von 10¹⁴ Lese/Schreib-Zyklen. Traditionelle nichtflüchtige Speicher haben in der Regel eine Ausdauer von weniger als 10⁶ Zyklen und zwingen Systementwickler zur Verwendung komplexer Routinen für den Ausgleich von Abnutzung und bis zu 4x höhere Dichten, um die Lebensdauer dieser Speicher zu verlängern.

Serieller F-RAM verbraucht so wenig wie 300 µA, wenn Aktiv, und 6 µA in Ruhe. Gekoppelt mit schnellen Schreibgeschwindigkeiten, bleibt Serieller F-RAM nur für kurze Zeit aktiv, was einen sehr niedrigen Energieverbrauch ergibt. Traditionelle nichtflüchtige Speicher mit Schreibverzögerungen müssen für längere Zeit aktiv bleiben, was zu einem höheren Energieverbrauch führt.

Mit geringfügigen Änderungen der Firmware ist serieller F-RAM ein Pin-zu-Pin- und Footprint-kompatibler EEPROM-Ersatz.

Hintergrundartikel: F-RAM™-Technologiebeschreibung