HyperRAM-Speicher

Die 64-Mb-HyperRAM™-Komponenten von Infineon bieten extrem schnellen, dynamischen Self-Refresh-RAM (DRAM) mit einer HyperBus™-Schnittstelle für Systeme, die einen erweiterten Zwischenspeicher benötigen. Damit eignen sie sich ideal für SoCs mit begrenztem RAM, indem sie eine skalierbare Lösung zur externen Erweiterung schneller Lese- und Schreiboperationen bereitstellen. HyperRAM bietet im DDR-Modus eine Lese/Schreib-Bandbreite von bis zu 333 MB/s.

Die Speicherfamilie HyperRAM von Infineon wird in der ersten Stufe mit einer 3-V-Stromversorgungsoption und 64 Mb angeboten, gefolgt von anderen Dichten und Spannungen. Die HyperRAM-Speicher werden in einem platzsparenden Ball-Grid-Array-(BGA)-Gehäuse mit 8 mm x 6 mm angeboten. Bei Kopplung mit HyperFlash-Speicher befinden sich beide Produkte auf der gleichen HyperBus-Schnittstelle, was im Vergleich zu generischem DRAM zu einer deutlichen Reduzierung der Anzahl von Signalen führt, die auf der Platine geroutet werden müssen. Dadurch wird eine einfache und kostengünstige Lösung für Systementwickler erreicht.

Der HyperRAM besitzt dieselbe Grundfläche wie der HyperFlash™-NOR-Flash-Speicher. Der HyerRAM ist mit einem erweiterten industriellen Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 105 °C erhältlich. Infineon unterzieht die Komponenten strengen Tests und Qualifikationsprozessen, um zu gewährleisten, dass alle Bauteile seinen erstklassigen Qualitätsanforderungen gerecht werden und bietet die Zulassung gemäß AEC-Q100.