3.300-V-Opto-MOSFET-Relais AA53F (Serie 53)

Die SiC-basierten MOSFET-Relais AA53F von Bright Toward bieten branchenführende Lastspannungsfähigkeiten und extrem niedrige Leckströme, die die herkömmlicher MOSFETs auf Siliziumbasis übertreffen. Viele der SiC-MOSFET-Relais von Bright Toward werden in einer nach IATF 16949 und ISO 9001 zertifizierten Einrichtung entwickelt und hergestellt und haben die strenge AEC-Q101-Zertifizierung für die Automobilindustrie durchlaufen, um Zuverlässigkeit und Leistung zu gewährleisten.

Das Opto-MOSFET-Relais AA53F von Bright Toward mit Siliziumkarbid-MOSFET-Chips (SiC) bietet eine außergewöhnliche Leistung mit einer Schaltspannung von bis zu 3.300 V, einem Schaltstrom von 300 mA und einem extrem niedrigen Leckstrom von max. 1 µA. Die opto-isolierten LED und MOSFETs bieten eine E/A-Durchbruchsspannung von 5.000 V_RMS, mit anpassbaren Kriechstrecken von bis zu 20 mm oder mehr. Das Relais verfügt über einen typischen Einschaltwiderstand von 3,5 Ω und eine Ansprechzeit von nur 1,05 ms.