Alliance Memory, Inc.

Highspeed-DDR-SDRAM für Mobilgeräte

Alliance Memory stellt den synchronen Highspeed-CMOS-DRAM AS4CxxMxxMD1 mit doppelter Datenrate (DDR SDRAM) vor

Abbildung: Highspeed-DDR-SDRAM AS4C16M16MD1/32M16MD1/16M32MD1/64M16MD1 von Alliance Memory für MobilgeräteDie synchronen Highspeed-CMOS-DRAM-Speicher mit doppelter Datenrate (DDR-SDRAM) von Alliance Memory für Mobilgeräte wurden zur Steigerung der Effizienz und Verlängerung der Batterielebensdauer in tragbaren Geräten konzipiert. Die 256-MB-, 512-MB-, 1-GB- und 2-GB-Bausteine zeichnen sich aus durch einen geringen Stromverbrauch von 1,7 V bis 1,95 V und verschiedene Stromsparfunktionen und werden in 60- und 90-poligen FPBGA-Gehäusen mit 8 x 9 mm bzw. 8 x 13 mm angeboten. AS4C16M16MD1, AS4C32M16MD1, AS4C16M32MD1, AS4C64M16MD1, AS4C32M32MD1 und AS4C64M32MD1 bilden einen zuverlässigen, pinkompatiblen Direktersatz für eine Reihe ähnlicher Lösungen in breitbandigen, leistungsstarken Speichersystemanwendungen.

Merkmale und Vorteile
  • Geringer Stromverbrauch bei 1,7 V bis 1,95 V
  • Stromsparfunktionen:
    • Automatischer temperaturkompensierter Self-Refresh (ATCSR)
    • Teilarray-Self-Refresh (PASR)
    • Tiefabschaltmodus (DPD)
  • Architektur mit doppelter Datenrate für schnelle Taktraten von 166 MHz und 200 MHz
  • Jeder Baustein mit kommerziellem (-30 °C bis +85 °C) und industriellem (-40 °C bis +85 °C) Temperaturbereich erhältlich
  • Intern konfiguriert als vier Bänke zu 16 M x 16 Bit bzw. 32 Bit, 32 M bzw. 64 M x 16 Bit und 32 M bzw. 64 M x 32 Bit
  • Angeboten in 60- und 90-poligen FPBGA-Gehäusen mit 8 x 9 mm bzw. 8 x 13 mm
  • Vollständig synchroner Betrieb
  • Programmierbare Lese- oder Schreib-Burst-Längen von 2, 4, 8 oder 16
  • Auto-Vorladefunktion bietet selbstständig ausgelöstes Vorladen von Zeilen, das am Ende der Burst-Sequenz initiiert wird
  • Benutzerfreundliche Aktualisierungsfunktionen umfassen Auto- oder Self-Refresh
  • RoHS-konform
  • Blei- und halogenfrei

High-Speed Mobile DDR SDRAMs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGAAS4C64M16MD1-6BINIC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGAAS4C16M16MD1-6BCNIC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGAAS4C64M32MD1-5BCNIC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA75 - Sofort$13.98Details anzeigen
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGAAS4C32M32MD1-5BCNIC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGAAS4C32M16MD1-5BCNIC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGAAS4C64M16MD1-6BCNIC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGAAS4C16M32MD1-5BCNIC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA25 - Sofort$5.32Details anzeigen
Veröffentlicht: 2016-02-24

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