DataFlash®-Serie E

Die Dataflash-Serie E von Adesto Technologies bildet eine neue Familie nicht-flüchtiger Speicherkomponenten mit geringerem Energiebedarf und intelligenten Funktionen für höhere Systemeffizienz und geringere Systemkosten. Die DataFlash-Serie E bietet eine Reihe von Funktionen und Optionen, einschließlich erstmalig in der Branche angebotener Fähigkeiten wie eine weite V_CC-Spannung und ein extrem tiefer Ruhemodus. Die Produkte der Serie E enthalten ebenfalls neue intelligente Funktionen, um die Systemleistung zu verbessern, wie effizientes „Byte-Write“, das keine großen Blocklöschvorgänge erfordert, und einen branchenüblichen Befehl für„Löschen-Programmieren-Aussetzen-Fortfahren“.

Byte-Write: Echte serielle E²PROM-Funktionalität in einem seriellen Flash

Bei den Komponenten der Serie E von Adesto verwendet der Programmierer einen einzigen Software-Befehl zum Löschen/Schreiben eines Bytes. Damit unterscheiden sie sich von standardmäßigem seriellem Flash, der 4-Kb-Blocklöschvorgänge erfordert. Das bedeutet weniger Speicherverwaltung für den Host-Controller, womit er zusätzliche Kapazitäten für Operationen höherer Priorität erhält. Weniger Speicherverwaltung entspricht ebenfalls einem kleineren Software-Fußabdruck im SRAM des Controllers und bietet dem Entwickler die Flexibilität, einen kleineren Mikrocontroller zu verwenden oder auf externen SRAM zu verzichten.

Extrem tiefer Ruhemodus:

Die Serie E bietet maximale Energieeinsparung über eine einfache Software-Anweisung für einen extrem tiefen Ruhemodus (Power-Down). Der Ruhemodus der Serie E ist in Nano-Ampere bemessen, was andere Konkurrenzprodukte um eine Größenordnung übertrifft. Die Software-Steuerung des Ruhemodus ermöglicht dem Entwickler den Verzicht auf zusätzliche Hardware-Komponenten wie Spannungsregler mit geringer Abfallspannung (LDO) oder Transistoren.

Betrieb mit erweiterter V_CC

Für mobile oder batteriebetriebene Geräte können die DataFlash-Produkte der Serie E unreguliert betrieben werden, um die Batterielebensdauer bei ununterbrochenem 1,65-V- bis 3,6-V-Betrieb zu maximieren. In einem Vergleich von Standard-V_CC-Bauteilen kann der erweiterte Spannungsbereich die Lebensdauer der Batterie um bis zu 1000 Prozent maximieren und gleichzeitig die Kosten für Spannungsregler mit geringer Abfallspannung (LDO) beseitigen.

Lesen mit niedriger Leistung

Für Anwendungen mit kleineren, langsameren MCU/CPU, die nicht in hohen MHz-Bereichen arbeiten, unterstützt DataFlash jetzt einen Lesebefehl mit niedriger Leistung, der im Vergleich zu Standard-Lesebefehlen Energieeinsparungen von typischerweise 20 % und mehr bei Taktfrequenzen unter 10 MHz erreichen kann.

Die Familie der Serie E umfasst eine Vielzahl von Dichten, ideal für Anwendungen zur Speicherung von digitaler Sprache, Grafiken, Programm-Code, Daten und anderem.

Merkmale
Dichten von 1 Mbit bis 64 Mbit Kleine Seitenarray-Architektur Betrieb mit erweiterter VCC, kontinuierlich 1,65 V bis 3,6 V und 2,3 V bis 3,6 V Branchenweit erste Byte-Erase/Modify/Write-Operation per Einzelbefehl für serielle Flash-Speicher Einzeln löschbare Seiten mit Größen von 256/264 oder 512/528 Byte Zwei unabhängige SRAM-Puffer auf dem Chip SRAM-Puffergröße entspricht Flash-Speicherseitengröße Umfangreicher Befehlssatz zur Reduzierung von CPU-Overhead		Leseoperationen mit niedrigerer Leistungsaufnahme Zero-Power-Abschaltoptionen: Standbymodi mit < 500 nA Software-Reset-Funktion Erase-Program-Suspend-Resume-Befehl für gleichzeitige Lese/Schreib-Operationen 104 MHz, 85 MHz SPI, Dual- und Quad-E/A-Unterstützung Schutz individueller Sektoren und Sperrung von OTP-Sektoren 128-Byte-OTP-Sicherheitsregister Mindestens 100.000 Zyklen pro Seite JEDEC-Hersteller- und Geräte-ID-Standard