EPC91104 3-Phase Motor Drive Inverter
Datum der Veröffentlichung: 2025-12-05
The EPC EPC91104 is a 3-phase BLDC motor drive inverter board featuring the EPC23104 ePower Stage IC 11 mΩ maximum RDS(ON), 100 V maximum device voltage.
EPC91118 Three-Phase Inverter for Humanoid Robot Joints
Datum der Veröffentlichung: 2025-12-03
The EPC91118 three-phase inverter from EPC features high-bandwidth control of 100 kHz PWM.
EPC91120 Compact Three-Phase Inverter
Datum der Veröffentlichung: 2025-12-02
EPC EPC91120 compact three-phase inverters feature an ultra-small two-layer PCB with optimized thermals for in-joint or in-body mounting.
Die 5-kW-GaN-AC-zu-48-V/50 V-Referenzlösung EPC91107KIT + EPC91110KIT von EPC wird mit GaN betrieben; EPC2304 (200 V, 5 mΩ) in PFC und EPC2305 (150 V, 3 mΩ) in LLC.
ePower™-Leistungsstufen-IC EPC23102
Datum der Veröffentlichung: 2025-09-03
Der ePower™-Leistungsstufen-IC EPC23102 von EPC bietet eine höhere Leistung und eine kleinere Baugröße für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte.
Das extrem kompakte Evaluierungsboard EPC91109 von EPC ist ideal für USB PD 3.1, Laptops, batteriebetriebene Geräte und tragbare Elektronikgeräte bis zu 180 W.
Evaluierungsboard EPC9196 mit 3-Phasen-Motorantriebswechselrichter
Datum der Veröffentlichung: 2025-06-24
Die 3-Phasen-Motorantriebsumrichter-Evaluierungsboards EPC9196 von EPC sind mit Steuerplatinen von Drittanbietern kompatibel und verfügen über eine integrierte Strom-, Spannungs- und Temperaturerfassung.
Demonstrationsboard EPC91116
Datum der Veröffentlichung: 2025-05-27
Die Demonstrationsplatine EPC91116 von EPC verfügt über einen optionalen Schmalimpulsgenerator, der den Betrieb mit typischen Impuls- und Funktionsgeneratoren vereinfacht.
Webinar - Maximale Effizienz und Leistung: GaN
Dieses Webinar stellt eine Reihe GaN-basierter Referenzdesigns vor, die sich durch unübertroffene Leistungsabgabe, thermische Effizienz und geringen Platzbedarf auf der Leiterplatte auszeichnen.
GaN-FETs im PQFN-Gehäuse
Datum der Veröffentlichung: 2025-04-10
Die GaN-FETs im PQFN-Gehäuse von EPC eignen sich perfekt für anspruchsvolle Anwendungen wie Motorantriebe, Robotik und Hochleistungsrechner.
This video discusses the EPC2152 Integrated ePower Stage by EPC, a single-chip driver and half-bridge power stage. It offers fast switching, robust transient handling, and a compact design for high-frequency power applications.
Wechselrichterplatine EPC91200 für Motorantriebe
Datum der Veröffentlichung: 2025-02-11
Das Bauteil EPC91200 von EPC ist eine dreiphasige Wechselrichterplatine für BLDC-Motor-Antriebe, ausgestattet mit dem eGaN-FET EPC2305 für eine maximale Gerätespannung von 150 V, vorgesehen für 96-V-Batterien.
Die Rolle von Treibern, Schaltern und Laserdioden für eine effektive LiDAR-Performance
Datum der Veröffentlichung: 2025-02-06
Elektro-optische Komponenten sind das Herzstück von LiDAR, das mit Hilfe von Laserimpulsen eine dreidimensionale „Punktwolke“ der Umgebung erstellt.
At electronica 2024, in the DigiKey booth, Caitlin Gittins speaks with Alex Lidow, CEO, EPC about GaN and the future of untethered robots.
Evaluierungskarte EPC91106 für Synchron-Aufwärts/Abwärtswandler
Datum der Veröffentlichung: 2024-12-31
Die Evaluierungsplatine EPC91106 von EPC für synchrone Abwärts-/Aufwärtswandler mit hoher Dichte und niedrigem Profil ist eine Komplettlösung für Leistungswandler, die auf 21 mm x 13 mm passt.
Integrierte Leistungsstufe ePower™ Stage EPC2152 mit Treiber für 80 V und 12,5 A in einem Chip
Aktualisiert: 2024-12-23
Die integrierte Leistungsstufe ePower™ Stage EPC2152 von EPC ist ein Ein-Chip-Treiber mit einer integrierten eGaN®-FET-Halbbrücken-Leistungsstufe für 80 V und 12,5 A bei Abmessungen von 3,9 mm x 2,6 mm x 0,8 mm.
40-V-2,25-mΩ-GaN-FET EPC2069
Datum der Veröffentlichung: 2024-12-10
Die GaN-FETs EPC2069 von EPC mit Impulsstrom bieten Entwicklern eine kleinere, effizientere Komponente als Silizium-MOSFETs für Hochleistungsanwendungen mit begrenztem Platzangebot.
80-V-Halbbrücken-Gate-Treiber uP1966E für GaN-FETs
Datum der Veröffentlichung: 2024-10-08
Der von EPC vertriebene uP1966E ist für die Ansteuerung von High- und Low-Side-GaN-FETs in Halbbrückentopologien ausgelegt und unterstützt Frequenzen vom mehreren MHz auf beiden Kanälen.
Our experts from Microchip and EPC will provide valuable insights into the technical advantages and practical applications of GaN-based high power density solutions.

