
SISS5110DN-T1-GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | 742-SISS5110DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SISS5110DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SISS5110DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SISS5110DN-T1-GE3 |
Beschreibung | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW |
Standardlieferzeit des Herstellers | 55 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 13,4A (Ta), 46,4A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8S |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 7,5V, 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 8,9mOhm bei 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 20 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±25V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 920 pF @ 50 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PowerPAK® 1212-8S | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 1,88000 | € 1,88 |
| 10 | € 1,20600 | € 12,06 |
| 100 | € 0,81850 | € 81,85 |
| 500 | € 0,65278 | € 326,39 |
| 1 000 | € 0,62690 | € 626,90 |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,53188 | € 1.595,64 |
| 6 000 | € 0,51218 | € 3.073,08 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 1,88000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 2,25600 |











