N-Kanal, Verarmungsmodus 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT223-4-21
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BSP149L6327

DigiKey-Teilenr.
2156-BSP149L6327-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BSP149L6327
Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT223-4-21
Datenblatt
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Kategorie
Herst.
Serie
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Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,8Ohm bei 660mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
1V bei 400µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
14 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
430 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1,8W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-SOT223-4-21
Gehäuse / Hülle
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