
BSP149L6327 | |
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DigiKey-Teilenr. | 2156-BSP149L6327-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | BSP149L6327 |
Beschreibung | N-CHANNEL POWER MOSFET |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal, Verarmungsmodus 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT223-4-21 |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Lose im Beutel | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 0V, 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 1,8Ohm bei 660mA, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 1V bei 400µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 14 nC @ 5 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 430 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 1,8W (Ta) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-SOT223-4-21 | |
Gehäuse / Hülle |
| Lose im Beutel: | 1910 |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 545 | € 0,47332 | € 257,96 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 0,47332 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 0,56798 |


