Name: ISC104N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC104N12LM6ATMA1TR-ND
Price: 2.724 EUR
Availability: InStock

Benötigen Sie Hilfe?

Feedback

Über DigiKey Marktplatz Verkauf auf DigiKey.com Karriere Seitenübersicht Digitale Lösungen Newsroom

Hilfe und Unterstützung Status der Bestellung Versandtarife/Optionen Rücksendungen und Probleme bei der Bestellung Impressum

Chat (+43) 720 380 109 eu.support@digikey.com Co-Browse

ISC104N12LM6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISC104N12LM6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISC104N12LM6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISC104N12LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISC104N12LM6ATMA1
Beschreibung	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 120 V 11 A (Ta), 63 A (Tc) 3W (Ta), 94W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8
Datenblatt	Datenblatt

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	120 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Ta), 63 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	3,3V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	10,4mOhm bei 28A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 35µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1800 pF @ 60 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 94W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	ISC104

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 2,27000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 2,72400

ISC104N12LM6ATMA1