Parametrisches Äquivalent

IRF9952PBF | |
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DigiKey-Teilenr. | IRF9952PBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRF9952PBF |
Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 30V 3,5 A, 2,3 A 2W Oberflächenmontage 8-SO |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Hersteller | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Bei DigiKey nicht mehr erhältlich | |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) | |
Konfiguration | N- und P-Kanal | |
FET-Merkmal | Logikpegel-Gate | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 3,5 A, 2,3 A | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 100mOhm bei 2,2A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 1V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 14nC bei 10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 190pF bei 15V | |
Leistung - Max. | 2W | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäuse / Hülle | 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | 8-SO | |
Basis-Produktnummer |


