N-Kanal 800 V 1,9 A (Tc) 6,1W (Tc) Oberflächenmontage PG-SOT223
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 800 V 1,9 A (Tc) 6,1W (Tc) Oberflächenmontage PG-SOT223
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

IPN80R3K3P7ATMA1

DigiKey-Teilenr.
IPN80R3K3P7ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
IPN80R3K3P7ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
IPN80R3K3P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPN80R3K3P7ATMA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 1,9 A (Tc) 6,1W (Tc) Oberflächenmontage PG-SOT223
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPN80R3K3P7ATMA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3,3Ohm bei 590mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 30µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
120 pF @ 500 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
6,1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-SOT223
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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3 000€ 0,20439€ 613,17
6 000€ 0,18837€ 1.130,22
9 000€ 0,18021€ 1.621,89
15 000€ 0,17222€ 2.583,30
Standardverpackung des Herstellers
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