Dioden 650 V 3A Durchkontaktierung TO-220F
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

CDBJSC3650-G

DigiKey-Teilenr.
641-1939-ND
Hersteller
Comchip Technology
Hersteller-Teilenummer
CDBJSC3650-G
Beschreibung
DIODE SIL CARBIDE 650V 3A TO220F
Standardlieferzeit des Herstellers
12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 650 V 3A Durchkontaktierung TO-220F
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Comchip Technology
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.7 V @ 3 A
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
100 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
190pF bei 0V, 1MHz
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-2 voller Pack
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C bis 175°C
Basis-Produktnummer
CDBJSC3650
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Menge
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 2,15000€ 2,15
50€ 1,05420€ 52,71
100€ 0,94760€ 94,76
500€ 0,76030€ 380,15
1 000€ 0,70013€ 700,13
2 000€ 0,64951€ 1.299,02
5 000€ 0,61547€ 3.077,35
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