HF-FETs, HF-MOSFETs

Resultate : 4
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
Ausschließen
4Resultate
Sucheingabe

Angezeigt werden
von 4
Herst.-Teilenr.
Verfügbare Menge
Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
Technologie
Konfiguration
Frequenz
Verstärkung
Spannung - Test
Nennstrom (Ampere)
Rauschzahl
Strom - Test
Leistung - Abgabe
Spannung - Nennwert
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
MRFE6VP5600HR6
RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
NXP USA Inc.
55
Vorrätig
1 : € 1.015,00000
Gurtabschnitt (CT)
50 : € 856,38640
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
LDMOS
Zweif.
960MHz bis 1,22GHz
19,6dB
50 V
-
-
100 mA
1000W
112 V
-
-
Chassisbefestigung
SOT-979A
NI-1230-4H
MRF13750HSR5
RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
NXP USA Inc.
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
50 : € 675,01740
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Aktiv
LDMOS
Zweif.
960MHz bis 1,22GHz
19,6dB
50 V
-
-
100 mA
1000W
112 V
-
-
Chassisbefestigung
NI-1230-4S
NI-1230-4S
NI-1230-4S GW
RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
NXP USA Inc.
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
50 : € 676,26120
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Aktiv
LDMOS
Zweif.
960MHz bis 1,22GHz
19,6dB
50 V
-
-
100 mA
1000W
112 V
-
-
Oberflächenmontage
NI-1230-4S GW
NI-1230-4S GULL
MRF13750HSR5
RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
NXP USA Inc.
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
1 : € 1.421,59000
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv
LDMOS (zweif.)
2 N-Kanäle
960MHz bis 1,215GHz
19,6dB
50 V
10µA
-
100 mA
1000W
112 V
-
-
Chassisbefestigung
NI-1230-4S
NI-1230-4S
Angezeigt werden
von 4

HF-FETs, HF-MOSFETs


HF-Transistoren, -FETs und -MOSFETs sind Halbleiterkomponenten mit drei Anschlüssen, bei denen der durch die Komponente fließende Strom durch eine elektrisches Feld gesteuert wird. Die Komponenten dieser Familie sind für die Verwendung in Equipment konzipiert, in dem HF-Frequenzen auftreten. Transistortypen zur Verstärkung oder zum Schalten des Signals oder der Versorgung sind E-pHEMT, LDMOS, MESFET, N-Kanal, P-Kanal, pHEMT, Siliziumkarbid, 2 N-Kanal und 4 N-Kanal.