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  • Digi-Reel®  : SISS27DN-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 61 843 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

SISS27DN-T1-GE3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SISS27DN-T1-GE3CT-ND
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Hersteller

Vishay Siliconix

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Hersteller-Teilenummer SISS27DN-T1-GE3
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Beschreibung MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
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Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 30V 50 A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8S (3,3x3,3)

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter SiSS27DN
Vorgestelltes Produkt Gen III P-Channel -40 V and -30 V MOSFETs in PowerPAK® Packages
PCN-Montage/Herkunft Multiple Devices 11/Dec/2015
HTML-Datenblatt SiSS27DN
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Kategorien
Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 50 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 5,6mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 140nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5250pF @ 15V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 4,8W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur -50°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8S (3,3x3,3)
Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8S
Basis der Teilenummer SISS27
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SISS27DN-T1-GE3CT