Zu Favoriten hinzufügen
SIS427EDN-T1-GE3 P-Kanal 30V 50 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 0,64000 € 0,64
10 0,56200 € 5,62
100 0,43090 € 43,09
500 0,34068 € 170,34
1.000 0,27254 € 272,54

Senden Sie eine Angebotsanfrage für Mengen, die größer sind, als die oben angezeigten.

Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer SIS427EDN-T1-GE3CT-ND
Kopieren   SIS427EDN-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 8.854
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Kopieren   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Hersteller-Teilenummer

SIS427EDN-T1-GE3

Kopieren   SIS427EDN-T1-GE3
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
Kopieren   MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 30V 50 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8

Kopieren   P-Kanal 30V 50 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Dokumente & Medien
Datenblätter SIS427EDN
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN-Montage/Herkunft Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung ? Gurtabschnitt (CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 50 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 10,6mOhm bei 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 66nC @ 10V
Vgs (Max.) ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1930pF @ 15V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8
Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein
  • H11L1SMT/R - Isocom Components 2004 LTD | H11L1SMCT-ND DigiKey Electronics
  • H11L1SMT/R
  • Isocom Components 2004 LTD
  • OPTOISO 5KV OPEN COLLECTOR 6SMD
  • Stückpreis € 1,09000
  • H11L1SMCT-ND
  • BQ24630RGER - Texas Instruments | 296-41208-1-ND DigiKey Electronics
  • BQ24630RGER
  • Texas Instruments
  • IC BATT CHARGER SYNC SW 24VQFN
  • Stückpreis € 4,20000
  • 296-41208-1-ND
  • SISA96DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SISA96DN-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SISA96DN-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212
  • Stückpreis € 0,39000
  • SISA96DN-T1-GE3CT-ND
  • IRLH5034TRPBF - Infineon Technologies | IRLH5034TRPBFCT-ND DigiKey Electronics
  • IRLH5034TRPBF
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 40V 100A 8-PQFN
  • Stückpreis € 2,52000
  • IRLH5034TRPBFCT-ND
  • 1770995 - Phoenix Contact | 277-2090-1-ND DigiKey Electronics
  • 1770995
  • Phoenix Contact
  • TERM BLK 6P TOP ENTRY 2.5MM PCB
  • Stückpreis € 1,16000
  • 277-2090-1-ND
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SIS427EDN-T1-GE3CT
Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) ? : SIS427EDN-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 6.000 - Sofort
  • Stückpreis: € 0,23979
  • Digi-Reel® ? : SIS427EDN-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 8.854 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

02:13:46 7.23.2019