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SI7119DN-T1-GE3 P-Kanal 200V 3,8 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
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  • Mindestbestellmenge ist: 1
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

SI7119DN-T1-GE3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SI7119DN-T1-GE3CT-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer SI7119DN-T1-GE3
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Beschreibung MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
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Standardlieferzeit des Herstellers 14 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 200V 3,8 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8

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Dokumente & Medien
Datenblätter SI7119DN
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
HTML-Datenblatt SI7119DN
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Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 3,8 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 1,05Ohm bei 1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 25nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 666pF @ 50V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -50°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8
Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8
Basis der Teilenummer SI7119
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SI7119DN-T1-GE3CT